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采用TLP测试的方式,研究了不同栅长对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现栅长越大,维持电压VH越大,ESD二次击穿电流It2越大;其原因可能与薄硅层中的热分布有关。
栅长对SOI NMOS器件ESD特性的影响
【摘 要】
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采用TLP测试的方式,研究了不同栅长对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现栅长越大,维持电压VH越大,ESD二次击穿电流It2越大;其原
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院,电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室,信息功能材料国家重点实验室（中国科学院上海微系统与信息技术研究所）
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2010年03期
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