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CMOS工艺技术缩小到深亚微米阶段,电路的静电(ESD)保护能力受到了更大的限制.因此,需要采取更加有效并且可靠的静电放电保护设计.文章提出了一种新型的ESD保护电路,以LVTSCR结构为基础,结合栅耦合技术以及抗噪声干扰技术.这种新型电路即使被意外触发也不会引起闩锁效应,提高了ESD保护电路的可靠性,实现了全芯片保护.