闪锌矿结构相关论文
氮化镓（GaN）是Ⅲ—Ⅴ族宽禁带半导体材料,拥有热导率高,化学性质稳定以及抗辐射能力强等优势,有望大规模应用于微波功率器件、蓝色光......
随着对电子器件的各项要求越来越高,具有高自旋极化率的自旋电子学器件早已引起了人们的关注。自旋电子学与传统半导体电子学的根......
纳米材料是一个迅速发展的研究领域,不仅是因为性能新颖的材料不断地被开发,还因为可以通过调整合成方案能够精确地控制纳米材料的......
采用乙腈为溶剂的喷涂工艺制备晶粒尺寸约为35nm的CuI薄膜。研究乙腈溶液中碘掺杂浓度对CuI薄膜结构、形貌和光学性能的影响。XRD......
自旋电子学是最近新发展起来的涉及磁学、电子学以及信息学的交叉学科,它同时利用电子的电荷和自旋来进行信息的存储和处理。自旋......
近几十年的研究表明，自旋电子学已在材料物理学领域占据了重要地位。自旋电子学器件具有不挥发、低功耗和高集成度等优点，较之传统的......
采用基于密度泛函理论(DFT)第一性原理的平面波超软赝势方法,计算含有锑空位和铝空位的AlSb电子结构,发现空位引起周围原子弛豫,晶......
运用密度泛函理论体系下的平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,计算研究了闪锌矿结构的ZnS晶体在不同的外界压强下的电子结构......
运用密度泛函理论体系下的平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,利用第一性原理计算了不同的压强下ZnSe晶体闪锌矿结构,得到了......
利用第一原理赝势平面波计算方法研究具有闪锌矿结构AlSb的嵌脱锂机理。通过计算不同嵌锂相Lix（AlSb）（0≤x≤2）或Li2＋yAl1-ySb（0≤y≤1）的......
以3-巯基丙酸为硫源，采用水热法制备了尺寸小于10nm、具有强光致荧光的闪锌矿型立方CdS半导体纳米晶．用EDS能谱、透射电镜（TEM）、高分......
因为纳米级的自旋电子学器件需要在纳米尺度上仍能在较高温度下保持优异性能的高自旋极化率材料,故与半导体相容的半金属铁磁体近......
采用分子束外延方法在室温下于Si（001）表面上生长ZnO材料。实验发现：样品为闪锌矿和六角结构的ZnO混合多晶薄膜,其表面分布着一系列具......
CdSe是Ⅱ-Ⅵ族半导体材料中一种重要的半导体材料．它有闪锌矿和纤锌矿两种不同的结构，带隙较窄．具有优良的电光特性和广泛的应用前景，......
根据密度泛函理论体系下的平面波赝势（PWP）和广义梯度近似（GGA）方法,利用第一性原理对CdS晶体闪锌矿结构进行研究计算,得到其平衡晶格......
在紧束缚近似下发展了一种新的计算方法,计算了闪锌矿结构CdS量子点的电子结构,并与有效质量近似作了比较.这种计算方法比较简洁,......
本论文旨在补充和完善溶液法用于纳米材料的合成和制备,探索以有机前驱物为反应物,在溶液中合成金属磷化物和硫化物纳米材料的新路......
半导体纳米晶又常被称为量子点,这类材料通过随粒径变化的荧光颜色直观地展示了纳米材料的量子尺寸效应,并作为一种全新的无机发光......
半导体纳米材料已经作为一类材料出现在人们的学习和生活中,纳米结构也与人们的生活戚戚相关。由于纳米材料的量子尺寸效应使其具......
窄带的Ⅳ-Ⅵ族半导体由于其良好的光电效应被广泛应用于红外-近红外探测器、太阳能电池、继电器等领域中。其中SnS具有直接带隙1.3......
近年来,一维纳米材料因其在众多领域所显示出重要应用前景而受到普遍重视。准一维纳米材料,包括纳米线（棒）、纳米管、纳米带、纳米同......
应用密度泛函理论从头计算了不同压强下半导体GaAs闪锌矿结构的电子结构，得到了各个高压下平衡时晶格常数、总能量、键长和能带结构......
随着时代的发展,纳米材料技术作为一种新兴的科学技术逐渐在人类社会中扮演其重要角色。尤其是在改善人类生活环境方面、提高人类......
以聚二甲基硅氧烷和金属硅粉为反应原料,在专用管式炉中成功实现了碳化硅纳米线的生长制备。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、傅......
采用广义梯度近似加优化的贝克-琼森势作为交换关联势进行第一性原理计算,研究闪锌矿结构YB化合物的电子结构和半金属性。结果表明......
