【摘 要】
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采用分子束外延方法在室温下于Si（001）表面上生长ZnO材料。实验发现：样品为闪锌矿和六角结构的ZnO混合多晶薄膜,其表面分布着一系列具一定取向的近似长方形的纳米台柱结构。在不
【机 构】
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厦门大学福建省半导体材料与应用重点实验室物理系及半导体光子学研究中心
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采用分子束外延方法在室温下于Si（001）表面上生长ZnO材料。实验发现：样品为闪锌矿和六角结构的ZnO混合多晶薄膜,其表面分布着一系列具一定取向的近似长方形的纳米台柱结构。在不同参数的高温退火后,这些梯形台柱将变小,形成梯形纳米环,或分解为较小的纳米柱及其团簇结构等。分析表明：ZnO混合多晶薄膜的形成,以及表面纳米台柱的演变,与Si（001）衬底、较低温的生长温度及热效应等因素相关联。
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