SiGe MOS器件SiO2栅介质低温制备技术研究

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tianyq

【摘要】

：

为了获得电学性能良好的SiGe PMOS SiO2栅介质薄膜,采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)工艺,对低温300℃下薄膜制备技术进行了研究.实验表明,采用适当高温、短时间对PECVD

【作者】

：

李竞春杨沛峰杨谟华谭开洲何林郑娥

【机构】

：

电子科技大学,信息产业部电子第二十四研究所

【出处】

：

微电子学

【发表日期】

：

2001年3期

【关键词】

：

栅介质薄膜低温制备锗化硅 MOS器件二氧化硅 SiO2 gate insulator SiGe device MOSFET PECVD

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

为了获得电学性能良好的SiGe PMOS SiO2栅介质薄膜,采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)工艺,对低温300℃下薄膜制备技术进行了研究.实验表明,采用适当高温、短时间对PECVD薄膜退火有助于降低薄膜中正电荷密度和界面态密度.该技术用于SiGe PMOS研制,在300K常温和77 K低温下,其跨导分别达到45 mS/mm和92.5 mS/mm(W/L＝20μm/2μm).

其他文献

清单计价在招投标中存在的问题及改进措施

文章通过对工程量清单计价的阐述，系统分析了清单计价在工程招投应用过程中存在的问题，并针对存在的问题提出了改进的措施和方法。

期刊

工程量清单招投标改进措施

浅论公路边坡坍塌的治理与防控方法

摘要:文章通过对公路边坡坍塌原因的分析和解释,探讨了边坡坍塌的不同类型,以及坍塌发生时应采用处理方法,相信其对类似工程具有一定的借鉴价值。　　关键词:公路边坡;坍塌;处理措施　　中图分类号:U417 文献标识码:A文章编号:1006-8937(2010)12-0155-02　　　　公路边坡坍塌问题是公路工程中比较常见的路基病害之一。其主要原因多是由于公路处于山谷以及河谷地区,其路堑边坡多由膨胀土或

期刊

公路边坡坍塌处理措施

浅谈抗震结构设计

地震作用由于其随机、不能准确预见和计算，目前规范只确定了一类，半经验半理论计算方法进行精确抗震计算存在一定困难，因此在抗震设计中应遵循刚柔相济、多道设防的原则，并采取有

期刊

地震作用延性短柱抗震性能

浅谈预制后张法简支T梁施工图的设计缺陷

通过使用预制后张法简支T梁施工图（通桥（2005）2201-I），结合施工经验，发现该施工图存在设计缺陷。文章针对设计缺陷，分析图纸中存在的问题，并提出改进思路与措施，从而更好的保证梁体的

期刊

后张法简支梁施工图设计缺陷

浅谈餐饮管理的系统设计

随着信息化产业的发展，现代酒店的管理方式必定会有翻天覆地的变化，主要表现在有人工管理方式改变为电脑自动化管理的方式。为了实现餐饮类企业的自动化管理，编写了餐饮管理系统

期刊

操作员权限连接字符串ACTIVE控件后台数据库

一种先进的TTL超高速比较器

文章介绍了一种新型TTL超高速比较器，并对其工作原理、制作工艺、技术性能及可靠性设计等进行了简要描述。该产品具有工作电压低（+3V)、功耗小（6mA)、响应时间快（10ns)等显著特点

期刊

TTL超高速比较器双极互补工艺高速时序逻辑集成电路TTL Very highspeed comparator Bipolar complementa

SiGe MOS器件SiO2栅介质低温制备技术研究

其他学术论文