在过去的二十年中,无线通信领域始终保持蓬勃发展。近年来,通信用户的飞速增长及其技术的快速更新都对现代无线通信出了更高的要求。WLAN使移动设备之间的物理连接更为清晰简单。随着WLAN对于带宽和数据吞吐量及其速率等的要求不断升,这直接推动了最初仅仅只能支持单频段的802.11 b/g向日后的802.11ac不断演化。在多输入多输出(MIMO)制式下的802.11ac可以给每一条发送或接收链路供的传输速率已高达6Gbps。对于低噪声放大器(LNA)而言,其噪声系数以及增益十分重要,对整体接收机敏感度的影响甚至是决定性的。尤其对于高频段工作的LNA,常常要使用价格高昂的GaAs、MESFET等工艺以减小其寄生参数的影响。虽然Si CMOS技术的价格优势较为明显,但其效率与线性度均较差。SiGe BiCMOS作为高性能与低价格的良好结合,无疑给我们供了更好的折中选择。它不仅兼具了双极工艺以及CMOS工艺的优势特点,同时完全符合射频电路系统中低功耗等性能要求。本文借助IBM公司的0.35um SiGe BiCMOS工艺,分析设计出一款工作在5~6GHz频段范围内,应用于802.11ac的LNA,且具备旁路(Bypass)模式,能够兼顾较大的输入信号,即当输入较小的信号时,LNA处于正常工作状态,能对信号进行放大,当输入信号过大超出LNA的处理能力时,此时会切换入Bypass模式,实际起到衰减作用,实现对后级电路的保护。低噪声放大器主体电路采用了单端的发射极电感负反馈结构设计,增加了输入阻抗的实部,还缩短了最大增益圆与最小噪声圆之间的距离,并且稳定性也有所升。本论文设计的创新性主要体现在LNA电路具备的Bypass功能,对大信号具备旁路效应,能够一定程度上优化噪声系数等,并且在电路设计中采用的基于传统电流镜结构的带控制的自适应偏置结构以及匹配设计方面也具有一定新颖性。仿真结果显示,在工作电压为5V的情况下,当低噪声放大器正常工作在使能状态时,HBT低噪声放大器工作稳定,常温下,在5.5GHz时,其整体噪声系数为2.2dB,小信号增益可以达到13.3dB;当低噪声放大器在Bypass模式下工作时,此时LNA对应的噪声系数为7.2dB(主要起到衰减作用),这时的插入损耗可达6.8dB,输入三阶交调点约为10.2dBm。经过对流片回来的芯片进行实测,实测结果显示,在LNA_EN模式下低噪声放大器正常工作时,其整体的噪声系数为2.4dB,小信号增益为11.5dB,旁路模式下插损为9dB,对应的三阶交调点的值约为12.2dBm。基本实现了低噪声和高稳定性的设计要求。