铁电薄膜相关论文
目前,以物联网为基础的新一代智能电子产品开发热潮要求将各种功能与传统电子系统相结合。柔性自驱动电子产品由于其便携性、可弯......
制备不同厚度的Hf0.5Zr0.5O2（HZO）薄膜，并使用不同退火温度对其进行热处理.在最优热处理条件下，所制备薄膜的两倍剩余极化强度可达约40......
锆钛酸铅及铌镁酸铅-钛酸铅等铅系铁电材料,因其具有优异的铁电、压电、热释电性能被广泛应用到微机电系统、传感器、驱动器等功能......
钛酸钡(BaTiO3)具有优异的介电、铁电、压电和热释电等性能，在微电子机械系统和集成电路中有着广泛的应用。降低BaTiO3薄膜的制备温......
随着5G、人工智能、物联网的兴起,信息量的增长激发了人们对高性能存储器的需求。铁电存储器由于其高存储密度、高读写速度、低功......
铁电薄膜因其具有优异力电性能而广泛应用于高密度电容器、非易失性铁电存储器等微电子器件领域。铁电薄膜的力电性能与其微观结构......
铁电材料在没有外场的作用下也能具备存在稳定自发极化的铁电畴结构,在场效应晶体管、光伏器件、换能传感器以及致动器件等方面具......
近些年,信息产业发展迅速,这使得光调制器的研究向高速、大带宽、低损耗、尺寸紧凑的方向发展。PLZT电光薄膜是一种电光系数高、折......
基于含时Ginzburg-Landau-Devonshire理论,定性研究了Ba0.5Sr0.5TiO3外延薄膜铁电和介电性能的厚度依赖性.结果表明:随厚度增加,面......
铁电薄膜由于其优异物理性能,而被广泛应用于微电子、光电子、微机电领域.在铁电薄膜理论研究方面,热力学理论可以有效地预测铁电......
新型光电器件和阻变随机存储器的研究是目前功能材料领域研究的前沿热点。铁电材料具有的铁电光伏与电致阻变效应的发现拓展了其物......
为满足可穿戴、便携式及水介质等特殊环境对光、电器件的需求,本文采用相关表/界面修饰方法,设计并制备了适用于柔性光电二极管的......
利用激光分子束外延技术(LMBE)在Si(111)、SrTiO(100)单晶基片上在(10Pa)高真空环境中外延生长SrTiO(STO)、BaTiO(BTO)、BaSrTiO(B......
采用溶胶-凝胶工艺(Sol-Gel)在Pt/Ti/SiO/p-Si衬底上成功制备了低漏电流BiTiO(BIT)铁电薄膜,对所得样品的漏导行为进行了研究.研究......
利用溶胶-凝胶(sol-gel)方法,在硅基底上制备了BiLaTiO/BiTiO/Si铁电薄膜,其中BiTiO作为缓冲层.用XRD方法分析了该结构铁电薄膜的......
运用一台经改进的原子力显微镜对PZT/YBCO异质结的微区漏电流和铁电性的关系进行了研究.样品形貌和漏电流的不均匀性与样品形貌及......
利用RT66A标准铁电测试仪,系统地研究了在氮氢混合气氛中退火前后,以及氧气恢复性退火前后SrBiTaO(SBT)铁电薄膜的疲劳特性的变化.......
在Pt/TiO/SiO/Si衬底上,采用金属有机化合物分解法(MOD)制备了SrBiTaO(SBT)铁电薄膜.在氮氢混合气氛(Forming Gas,5℅H+95℅N)中,......
采用溶胶凝胶法法制备了PZT铁电薄膜,并且用特性研究薄膜的铁电性质.然后,这些结果同电桥的结果有很大的不同,而且上扫和下扫的特......
本文报道了稀土金属Eu掺杂的PbZrTiO(PEZT)铁电薄膜的溶胶-凝胶制备及其铁电性能研究.通过优化掺杂剂的含量,获得了具有优良铁电性......
Pb(Zr,Ti)O3(PZT)铁电薄膜在传感、驱动、声表面波、信息存储等器件中有重要的应用.PZT 薄膜的畴结构对器件的性能有很大的影响.最......
会议
本文采用自制的微弧氧化装置，选用合适的电解液及上艺参数，在Ti基体上直接沉积钛酸盐系铁电薄膜。利用X射线(XRD)、扫描电镜(SEM)对......
铁电薄膜具有良好的热释电性、压电性、电光及非线性光学特性,在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域有着广泛的......
作者通过脉冲激光淀积的方法在Y-ZrO衬底上原位生长了Pb(ZrTiO/YBaCuO双层薄膜，在此样品上利用电子探针分析了成份，X衍射谱证明 了两......
为实现铁电薄膜和半导体硅的集成,本实验首先采用真空电子束蒸发法在Si(100)衬底上淀积一层为20nm层的AlO过渡层,接着在AlO过渡层......
用改进的Sol-Gel技术研制出BST、PLT和PZT铁电薄膜.它们具有优良的热释电性能,是制备非致冷热释电红外探测器阵列优选材料;解决了......
该文采用脉冲激光制膜法(PLD)在LaALO衬底上制备了BiLaTiO(x=1)薄膜。对薄膜进行X射线衍射分析表面其在衬底上实现了外延生长，外延......
以醋酸铅(Pb(CH3COO)2),锆酸丁脂(Zr(C4H9O)4)和钛酸丁脂((C4H9O)4Ti)为前驱物,配制了稳定透明的前体溶胶.利用溶胶-凝胶技术制备......
以锆钛酸铅(Pb(ZrxTi1-x)O3：PZT)薄膜为代表的铁电陶瓷薄膜具有优良的铁电、压电、光电和介电等性能，使其在铁电存储器、薄膜电容器......
在传统模型中，介电常数的电场依赖效应是通过实验曲线拟合得到的，缺少理论基础。另一方面，有文献指出铁电非线性（极化）对电压–电流特性......
根据关联有效场理论，采用微分算子方法对具有单表面层、双表面层的铁电薄膜的相变性质分别进行了研究。利用推导得出的两个可用于研......
近年来,将铁电薄膜材料与硅基半导体集成工艺相结合而发展起来的铁电存储器成为一个新的研究热点.然而传统上应用于硅基铁电存储器......
便携式电子器件及无线传感器的快速发展对其供电设备提出了更高的要求,即持久供电、室温附近工作、体积更小.基于热释电效应的热释......
外场作用下的极化翻转是铁电薄膜及铁电器件工作的物理本质.本文用脉冲测试和压电力显微镜的方法,研究了不同温度下Bi3.15Nd0.85Ti......
铁电存储器因具有低功耗、高存储密度、抗辐射等一系列优异性能而成为非常具有发展潜力的新型存储器件。作为铁电存储器中的存储单......
采用同步辐射X射线光电子能谱(XPS)和X射线近边吸收光谱(XANES),研究了0.9PbTiO3-0.1SmFeO3薄膜在LaAlO3、SrTiO3和MgO基底上的电......
增强型GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)具有高压、高频、大功率、小型化等优异特性,已成为下一代功率电子的核心技术。基于新的器件物......
用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基片上沉积了LiTaO3薄膜, 并在氧气气氛中不同温度下进行退火。采用SEM、XRD、XPS等表征方......
通过透射光谱研究了锰掺杂量对钛酸锶铅铁电薄膜光学特性尤其是带-带跃迁和带尾吸收特性的影响,并利用柯西色散关系获得了光学透明......
利用GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的栅控特性和锆钛酸铅（PZT）铁电薄膜的光伏效应，在HEMT器件的栅极处沉积一层PZT铁电薄膜，提出了一种新......
采用化学溶液方法，在LaNiO3/Si(100)衬底上生长了Nd掺杂的BiFeO3薄膜.XRD分析结果表明，随着Nd掺杂量的增加，薄膜晶格变小，Nd掺杂量为20......
近几年由于铁电铁磁材料优良的物理特性和其在非易失性存储器、热释电器件以及微波压控器件中巨大的应用前景，人们对其的关注度也越......
近年来,采用钙钛矿结构导电金属氧化物作为电极的研究引起了人们的广泛关注,如：SrRuO3,LL0.5Sr0.5CoO3(LSCO),LaNiO3和Lao.7Sr0.3Mn......
铁电薄膜内部具有来源于自发极化或电畴壁的内建电场，可以实现电子-空穴对的有效分离，并获得远高于其禁带宽度的开路电压，即反常......
以PbTiO3为研究对象，运用相场方法，模拟了单晶铁电薄膜的晶体学取向对其畴结构及其电热性能的影响。研究结果显示，随着晶体学取向......
