【摘 要】
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在Pt/TiO/SiO/Si衬底上,采用金属有机化合物分解法(MOD)制备了SrBiTaO(SBT)铁电薄膜.在氮氢混合气氛(Forming Gas,5℅H+95℅N)中,在不同的时间条件下对SBT铁电薄膜进行了退火处理,退火温度固定在400℃.结果表明氮氢混合气氛退火对SBT铁电薄膜的电滞回线影响很大,退火后,SBT铁电薄膜的剩余极化强度Pr下降了50℅左右,而退火对SBT铁电薄膜的抗疲劳特性影
【机 构】
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南京大学固体微结构物理国家重点实验室(南京)
【出 处】
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第四届中国功能材料及其应用学术会议
论文部分内容阅读
在Pt/TiO<,2>/SiO<,2>/Si衬底上,采用金属有机化合物分解法(MOD)制备了SrBi<,2>Ta<,2>O<,9>(SBT)铁电薄膜.在氮氢混合气氛(Forming Gas,5℅H<,2>+95℅N<,2>)中,在不同的时间条件下对SBT铁电薄膜进行了退火处理,退火温度固定在400℃.结果表明氮氢混合气氛退火对SBT铁电薄膜的电滞回线影响很大,退火后,SBT铁电薄膜的剩余极化强度Pr下降了50℅左右,而退火对SBT铁电薄膜的抗疲劳特性影响不明显,在经过10<9>次极化反转后其剩余极化强度Pr变化不大.
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