氧化铪基铁电薄膜的原子层沉积法制备与可靠性研究

来源 :第十五届全国物理力学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wiltonx

【摘要】

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【作者】

：

刘晨肖文武廖敏周益春

【机构】

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湘潭大学

【出处】

：

第十五届全国物理力学学术会议

【发表日期】

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2018年11期

【关键词】

：

氧化铪铁电薄膜可靠性

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　　近年来,将铁电薄膜材料与硅基半导体集成工艺相结合而发展起来的铁电存储器成为一个新的研究热点.然而传统上应用于硅基铁电存储器的钙钛矿结构铁电材料如锆钛酸铅(PZT)等,已被证实具有尺寸效应问题.HfO2作为一种典型的high-k材料,能替代SiO2作为栅介质材料.实验证明,HfO2薄膜在Zr元素掺入时会表现出铁电性.用HfO2基新型铁电薄膜替代PZT将有望突破长期制约铁电存储器发展的材料瓶颈,从而实现存储性能和密度的大幅度提高.本报告以Zr掺杂HfO2铁电薄膜为研究对象,探究了HfO2基铁电薄膜的宏观电性能.研究热处理温度、气氛、以及厚度对氧化铪基铁电薄膜电学性能的影响规律.

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