金属有机化学气相沉积相关论文
二维过渡金属硫族化合物（transition metal dichalcogenides， TMDs）是继石墨烯之后新型的二维材料，由于其自身的独特物理化学性质在半......
基于Ⅲ族氮化物材料的深紫外发光二极管（LED）具有体积小、低功耗、寿命长、波长可调和环境友好等优点,有望代替传统的紫外汞灯光源,......
硅（Si）基光电子技术可以将光子技术的高带宽、低功耗、高速率优点和微电子成熟的加工技术相结合实现光电集成,它具有低成本、高集成......
A-plane GaN films are deposited on (302) \gamma-LiAlO2 substrates by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Th......
InGaN基量子阱作为太阳电池器件的有源区时，垒层厚度设计以及实际生长对其光学特性的影响极为重要。采用金属有机化学气相沉积(MOVC......
采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上GaN材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压......
GaN材料具有宽禁带,高熔点,高电子迁移率,高击穿场强以及高热导率等优越特性,广泛应用于发光器件(LED)、太阳能电池、高电子迁移率......
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工作于日盲紫外波段的光电探测器,在导弹逼近告警、超高压与特高压输电线路漏电电晕探测等国防和民用领域有着重要的应用前景和市......
利用金属有机化学气相沉积技术在GaAs衬底上开展了大失配InGaAs多量子阱的外延生长研究.针对InGaAs与GaAs之间较大晶格失配的问题,......
使用金属有机化学气相沉积(metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)方法生长了三个具有不同垒层温度的InGaN/GaN量子阱。......
以热氧化的p型硅(SiO2/Si)为衬底,运用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术以铪基金属有机源和高纯氨为反应气体在其上淀积HfNx薄膜样......
光子集成技术是光纤通信最前沿、最有前途的领域,它是满足未来网络带宽需求的最好办法。光子集成芯片与传统的分立OEO(光电光)处理......
近年来,氧化锌(ZnO)因其独有的优越性能,和在许多领域应用的巨大潜力而备受关注。然而,高性能又稳定可靠的p型ZnO一直没能实现,这......
随着制作器件及布线的微细加工技术的不断发展，集成电路的集成度不断提高，从大规模集成电路发展到极大规模集成电路。传统集成电路制......
极性ZnO基异质结中存在自发极化和压电极化现象,将会导致器件发光效率降低和发光波长红移。为了消除极性ZnO基材料中存在的极化现......
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GaN和AlGaN是Ⅲ-Ⅴ族半导体薄膜材料，广泛应用于LED和大功率半导体器件，是目前全球半导体材料研究的热点。金属有机化学气相沉积(MOC......
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金属有机化学气相沉积(MOCVD)是重要的薄膜生长方法，特别适用于生长Ⅲ族氮化物半导体薄膜材料和器件。由于MOCVD反应器中存在大的温......
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Ⅲ族氮化物是重要的第三代半导体材料，是制备高亮度LED、半导体激光器以及高频大功率微电子器件的基础。金属有机化学气相沉积(MOCV......
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金属有机化学气相沉积(MOCVD)是制备GaN基薄膜器件如蓝紫光LED最常采用的方法。MOCVD生长GaN过程常以Ga(CH3)3和NH3为反应前体。由......
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金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长GaN基化合物半导体薄膜，是制备大功率微电子器件和LED等光电器件的关键工艺。在MOCVD生长GaN过程......
AlN是一种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，广泛用于制备蓝紫光发光二极管和半导体激光器。金属有机化学气相沉积(MOCVD)是制备AlN的主要方法。由......
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金属有机化学气相沉积(MOCVD)是用于制备LED、薄膜太阳电池和大功率微电子器件的关键工艺。垂直式MOCVD反应器中反应气体在输运过......
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由于量子点内部的载流子运动三维受限，使得其具有很多独特的特性，如量子尺寸效应、量子隧穿效应、量子干涉效应、库仑阻塞和良好的非......
该研究论文主要研究了以下几个方面:1、研究了用Fe(CO)的前体物,在喷动流化反应器中对云母粉包覆铁氧化物制备铁系珠光颜料的新工......
在Si上生长Ⅲ-Ⅴ族半导体，可以用作集成光电器件的材料，备受关注。传统的层状异质结构由于不可避免地面临晶格失配和热失配问题，材料......
利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）在316L不锈钢表面分别制备了（110）择优取向和随机取向的氧化铬涂层。利用扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍......
期刊
铁电薄膜是一类重要的功能材料,是近年来高新技术研究的前沿和热点之一。金属有机化学气相沉积(MOCVD)是制备铁电薄膜的一种重要方......
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金属有机化学气相沉积能连续、快速的沉积高温超导带材YBa2Cu3O7-x(YBCO)超导层.但金属有机源的利用率与薄膜沉积速率以及沉积一致......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型......
期刊
采用金属有机化学气相沉积 (MOCVD)法制备了TiO2 薄膜 ,测定了TiO2 薄膜的晶体结构 ,以 p -Si为基底电极 ,研究了TiO2 薄膜的光电......
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广东省中科宏微半导体设备有限公司，是由中国科学院半导体研究所、广东省广晟资产经营有限公司、广东省工业技术研究院、东莞勤上光......
采用低压金属有机化学气相沉积(LP MOCVD)技术,在普通石英衬底上制备出不同Cd组分(0.02,0.44,0.59,0.83,0.91)的Zn1-xCdxS合金薄膜......
使用等离子体辅助MOCVD系统在金刚石 硅衬底上成功地制备了氧化锌多层薄膜材料 ,通过两步生长法对薄膜质量进行了优化。XRD测试显......
用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)设备生长了AlGaInAs压应变量子阱材料、应变补偿量子阱材料并进行了材料特性的测试，通过二次......
在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型......
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以仲丁醇铝(ATSB)为前驱物、氮气为载气,用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在HP40钢表面沉积了Al2O3薄膜.采用光学金相显微镜(OM)、......
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采用金属有机化学气相沉积法制备了ZnO和ZnO∶Ni薄膜,并对它们的结构、光学和电学特性进行了对比研究.通过扫描电子显微镜(SEM)和X......
用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在晶格失配较小的情况下制备了ZnCdSe量子点,并用原子力显微镜(AFM)和极低温度下的发光光谱......
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以NH3为掺杂源,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在蓝宝石R面上生长出掺氮ZnO薄膜.通过XRD,SEM测量优化了其生长参数,在610℃......
通过X射线衍射、扫描电子显微镜和变温光致发光光谱对MOCVD方法生长在蓝宝石衬底上的ZnO微米柱材料的结构及发光特性进行了表征.X......
介绍了氧化锌材料的一些突出特性以及生长氧化锌的方法。并通过金属有机化学气相沉积 (MOCVD)方法制备了优良的氧化锌薄膜。使用X......
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在有条状SiO2图形的GaN"模板"上,侧向外延方法生长了高质量的GaN.荧光显微镜的结果表明在SiO2掩膜区有成核过程发生.原因可能是SiO......
研究了氧气退火和氮气退火对ZnO薄膜发光特性的影响.ZnO膜是采用常压金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石(0001)衬底上生长的.......
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采用等离子体辅助的低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在没有引入任何金属催化剂的条件下,在c平面的蓝宝石衬底上制备出高......
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以去离子水(H2O)和二乙基锌(DEZn)为源材料,生长温度是680℃时,利用常压MOCVD在GaN/A l2O3模板上成功生长了ZnO单晶薄膜,用原子力......
采用常压金属有机物气相沉积法生长ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ周期性反射膜，并利用双晶Ｘ射线衍射、扫描电子显微镜和记录式分光光度计等分析手段，对材料结构及光......
立方 Ga As (10 0 )衬底上制备的 Ga N薄膜多为立方结构且立方相为亚稳相 ,采用水平常压 MOCVD方法在立方 Ga As (10 0 )衬底上制......
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