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近年来,氧化锌(ZnO)因其独有的优越性能,和在许多领域应用的巨大潜力而备受关注。然而,高性能又稳定可靠的p型ZnO一直没能实现,这严重阻碍了ZnO基光电器件的发展。Ⅰ族元素中的Na在ZnO中存在较浅的受主能级,利用Na掺杂可实现p型ZnO,但其稳定性仍有待提高,其掺杂机理也有待深入研究。本文主要用发光光谱研究Na在ZnO中的行为,为了创造有参考意义的环境,减少背景缺陷的干扰,选用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长的ZnO纳米棒和ZnO体单晶两种高质量ZnO进行Na掺杂,主要研究内容包括以下两个方面：1.通过MOCVD法成功地生长了Na掺杂的ZnO纳米棒阵列。光致发光(PL)分析发现,不同于未掺杂的ZnO纳米棒,在Na掺杂的纳米棒中低温PL谱中主导发光的是离化施主束缚激子(D+X),表明Na在其中作为受主与施主发生了高度补偿,结合XPS价带谱中观察到费米能级向价带的移动,证明了Na的受主行为。2.成功地对c面(0001)和a面(1120)的ZnO体单晶进行了不同能量和剂量的Na离子注入。通过PL谱讨论了不同温度对Na注入的ZnO体单晶的结构影响,在650℃退火后普遍发现了Na相关的中性受主束缚激子(A0X)发光峰,证明Na此温度下最容易被激活。对Na受主参与的施主受主对(DAP)发光的追踪测试结果表明NaZn并不稳定。之后对比了不同注入能量、不同注入剂量和不同晶向的基底对Na受主形成的影响,发现Na掺杂主要受晶体极性调控。