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在Si上生长Ⅲ-Ⅴ族半导体，可以用作集成光电器件的材料，备受关注。传统的层状异质结构由于不可避免地面临晶格失配和热失配问题，材料结晶质量难以保证，而纳米线的出现很好地解决了这一问题，有望成为未来光电器件的纳米组件。晶格在径向上的缩放使得高晶体质量Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线可在大晶格失配的衬底上生长。由于量子尺寸效应，纳米线具有能级分立、电导量子化、弹道输运和库仑阻塞等一系列特性，在电、光、磁等性质上有着独特表现。InP是直接带隙的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，体材料常温禁带宽度1.35eV，电子迁移率高并