硅锗合金相关论文
采用电磁熔配法制备了掺杂B（含量分别为0.5%、1%、1.5%、2%,均为原子百分数，下同）的P型硅锗合金热电半导体材料，根据对样品的物相分析......
以一定化学计量比均匀混合的Si、Ge、B混合粉末为原材料,使用放电等离子烧结（SPS）一步法合金化制备了p型Si80Ge20Bx（x=0.5,1.0,2.0）合......
硅元素及其化合物在现代工业中起着不可或缺的作用,现已经被广泛应用到了各个相关领域中。本文采用原子掺杂的方法,寻找新型的硅同......
本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着......
采用非平衡分子动力学(NEMD)方法研究了微尺度下硅锗合金的热导率变化情况.结果表明,硅锗合金热导率具有明显的尺寸效应,显著小于......
采用解析的方法计算了在基区掺杂为高斯分布,Ge组分分布为三角形分布和矩形三角形分布时基区内建电场的变化情况.重新拟合了价带有......
采用激光辐照的方法在硅锗薄膜样品表面生成微米级小孔，用高精度扫描电镜观察孔内结构，发现片状的纳米结构．用荧光光谱仪测其光致荧光......
我们在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和二维的纳米结构样品,用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辨率......
我们将SiGe合金在干氧吹气环境下以不同的温度和不同的时值进行氧化处理，用卢摄福散射仪RBS和高精度椭偏仪HP-ESM测量样品，获得10～80n......
采用强激光辐照硅锗合金，然后高温氧化的方法，在样品表面生成微米级小孔，用高精度扫描电镜观察孔内结构，发现片状纳米结构的存在。用荧......
采用高温氧化（800℃）和激光辐照低温氧化（300℃）的方法以及用激光直接辐照方法,在硅锗合金薄膜上生成锗纳晶。这两种方法所生成的锗纳......
硅锗合金是一种无限互溶的固溶体,它可以通过精确改变组分的含量来获得。国内外对硅锗材料在微光电子的研究已有报道,但对其热学性......
采用解析的方法计算了少数载流子浓度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系。发现常温时,在同一掺杂浓度下,少子浓度随Ge组分的增......
针对Si/SiGe pMOSFET器件结构求解泊松方程,同时考虑器件尺寸减小所致的物理效应,如漏致势垒降低（DIBL）效应、短沟道效应（SCE）和速度过......
在硅锗合金氧化层中发现锗纳米表层结构,并分析了其时应的PL谱结构.提出相对应的量子受限模型计算公式和算法,理论分析结果与实验......
介绍了对ＳｉＧｅ／Ｓｉ材料干法，湿计腐蚀的机理，腐蚀方法，影响腐蚀的主要因素，以及其在制造异１质结晶体管中的应用。......
采用第一性原理方法研究在温度为300 K时,硅单质和两种锗组分不同的硅锗合金的热电性能,发现虽然硅的热电功率因子S2σ较大,但由于......
在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和二维的纳米结构样品,用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辩率扫描......
大剂量(4×10^16cm^-2)的Ge离子在77K低温下被注入于(100)硅片中，并结合随后的1080C快速热处理(RTP)以形成Si／SiGe异质结构．用卢......
首次发现硅锗合金氧化纳米结构中的锗纳米层的PL谱(5410A波长处的谱峰),采用量子受限模型分析PL谱结构得到的计算方法和结果与实验......
Si Ge（硅锗合金）Bi CMOS工艺集成技术,是在制造电路结构中的双极晶体管时,在硅基区材料中加入一定含量的锗,形成应变硅异质结构晶体......
理论模型表明，通过向SiGe合金中掺杂惰性纳米相-声子散射中心可以减小材料的热导率进而可以达到提高材料热电优值的目的。为了验证......
作为一种洁净能源,硅锗合金的热电转换性能的研究越来越受到人们的重视.本文重点研究了不同Ge浓度的硅锗合金以及Si、Ge单晶在300～1......
本文展开了高介电常数（k）栅介质Si1-xGex NMOS场效应管性能的数值模拟研究,基于有限元法,建立了纳米尺寸（栅长=15 nm）NMOS场效应管模型......
随着石墨烯二维材料的出现以及快速的发展应用和科学技术的迅猛发展,新型材料的寻求以及改良已经日渐迫切。纳米尺度技术的进步也......
掺杂点缺陷对声子的散射是影响电绝缘体热导率的重要机制,其中声子频率和掺杂点缺陷浓度是影响声子散射的重要因素。论文首先对硅......
本文利用同步辐射光源、金刚石对顶砧和多砧大压机设备分别研究了室温和高温条件下不同组分硅锗合金在高压下的压缩行为、相变反应......
