硅化钴相关论文
苯酞作为重要的精细化学品的中间体,在医药、农药等方面具有广泛应用.工业上主要通过邻苯二甲酰亚胺法和苯酐法来合成.前者收率不......
苯酞作为重要的精细化学品的中间体,在医药、农药等方面具有广泛应用.苯酐催化加氢具有产品收率高,质量好,成本低和环境友好等优点......
随着原油重质化的日趋严重和环保要求的日益严格,降低燃油中芳烃含量受到越来越多的重视。传统的硫化物催化剂加氢活性不高,反应条件......
用扫描电镜、透射电镜和 X 射线衍射研究了 Si_3N_4-TiC-Co 系复合材料的相组成、显微结构和力学性能。发现 TiC 以 TiC 和 TiN 形......
研究了超薄 (~ 1 0 nm) Co Si2 /Si的肖特基势垒接触特性 .Co( 3— 4nm) /Ti( 1 nm)双层金属通过快速热退火在 Si( 1 0 0 )衬底上形......
采用微波法制备了Co2Si@C催化剂并对其在加氢脱硫反应中的催化性能进行了研究.通过XRD、 XPS、 TEM和N2-物理吸附表征分析Co2Si@C......
对厚度约为0.4μm的CoSi2多晶薄膜的织构进行了研究。X射线极图分析表明,薄膜表现出与以往文献中所报导的CoSi2薄膜安全不同的织构类型。在Si(11)衬底上织......
对厚度约为0.4μm的CoSi2多晶薄膜的电学性质进行了研究。在-200℃ ̄20℃温度范围,测定了CoSi2薄膜的电阻率。室温下,电阻率为9 ̄20μΩ·cm。随着温度的降低,电......
综述近年国内外在CoSi2/Si异质外延生长领域的研究进展,在半导体衬底上异质外延具有优良导电特性的金属硅化物,从基础研究和技术发展两方面都......
研究经扩散或离子注入掺B、P、As的硅表面上形成自对准CoSi_2薄膜接触和pn结技术.采用离子束溅射Co膜和Co/Si快速热处理(RTP)固相......
CoSi2是近年亚被活跃研究的一种微电子导电薄膜材料,采用Co/Ti双层及TiN/Co/Ti多层结构,通过不同热处理工艺,可以形成CoSi2/Si异质外延结构。通过XRD,AES,RBS,四探针等测试,研究......
利用质量分离低能离子束外延法,在Si(111)上生长出了硅化钴薄膜,表面微结构及表面组分,化学价态的分析测试表明,此生长工艺已获得了无针孔的高......
报道了P波段450 W硅LDMOS器件的研制结果。所研制器件采用沟槽技术实现背面源结构,采用场板技术提高击穿电压并降低栅漏电容,采用......
过渡金属硅化物因具有高熔点、低电阻率、良好的化学惰性和热稳定性等性能被广泛应用于半导体等领域。然而现有的制备技术限制了过......
学位
LDMOS功率管广泛应用于雷达探测领域,比如:机载、舰载、陆基相控阵雷达等领域。芯片电极是工作电流与微波信号的通道,也是整个LDMO......
随着集成电路进入深亚微米及其以下时代,线宽尺寸不断减小,接触和互连已经成为增加电路延迟时间,影响系统集成度和稳定性的重要因......