电阻开关效应相关论文
近年来，金属-绝缘体-金属（MIM）结构中发现的电场/电流导致的电阻开关效应（RS effect）引起了研究者的广泛关注。RS效应涉及强场下的电输......
近年来,电阻开关效应（Resistive switching effect）引起了人们的广泛关注。基于电阻开关效应的电阻型随机存储器（Resistive Random Ac......
纳米尺度的金属半导体材料一般会表现出较之于块状材料更加优越的光电效应以及更加明显的量子效应,使其目前在能源、信息、科技、......
GeSe2是一种宽禁带半导体材料,其禁带宽度为2.7eV,是IVA-VIA族化合物家族中的重要成员。作为一种新型的多功能材料,GeSe2因其在光......
随着纳米技术的发展,出现了一系列应用前景广泛的半导体化合物材料。氧化锌（ZnO）属于Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,是一种宽禁带直接带隙材料......
2000年,美国休斯顿大学的科学家S. Q. Liu等人发现电脉冲触发可逆电阻转变效应,他们并提出RRAM(resistance random access memory)......
在电阻存储技术的快速发展中,电阻存储材料是其发展的关键基础。因此探索新型、高效、环保的电阻存储材料是推进电阻存储技术发展......
开发高速度、高密度、低功耗、非易失型的新型信息存储器已经成为信息存储领域主要研究方向。基于电阻开关效应的电阻随机存储器以......
近年来,电阻开关（RS）效应由于其重要的科学意义以及在电阻式随机存储器（RRAM）、新的计算机逻辑架构上的应用,已经引起了广泛的关注。众......
BiFeO3因其较大的漏导、多铁性难以表达等问题而限制它的实际应用。多元素掺杂BiFeO3薄膜能够有效降低泄漏电流,提高薄膜的铁电性......
集成光电子产业的发展，要求器件向微型化、集成化的方向发展，因此对薄膜材料的研究逐渐成为了研究热点。高质量的薄膜材料和器件的获......
尖晶石铁氧体MFe2O4(M=Fe、Co、Ni、Mn等)具有丰富多样的电学和磁学性质以及高居里温度等优点,成为磁(自旋)电子学的研究热点。对......
ZnO属于Ⅱ-Ⅵ族半导体，是一种宽禁带直接带隙材料。在室温下其激子结合能高达60meV，禁带宽度约为3.37eV，具有优异的光电性能，成为近十......
如今，存储器已经非常广泛地应用于各种电子产品中，并在我们的工作和生活中扮演着越来越重要的角色。随着电子技术与集成电路的飞速发......
