如今，存储器已经非常广泛地应用于各种电子产品中，并在我们的工作和生活中扮演着越来越重要的角色。随着电子技术与集成电路的飞速发展，对存储器的性能也提出了更高的要求，如高速度、高密度、长寿命、低功耗、非挥发性和更小的尺寸等。但当前主流的非挥发性存储技术——基于电荷存储机制的Flash存储器随工艺技术的发展遇到严重的技术瓶颈，非挥发性存储器无法满足信息技术迅速发展要求的超高密度和更高速存储的要求。因此，人们开始研究新的非挥发性随机存储技术。目前正在研究的兼具Flash存储器的非挥发性和RAM存储器高速度优点的存储器包括铁电存储器（FeRAM）、磁存储器（MRAM）、相变存储器（PCRAM）和电阻式存储器（ReRAM）等。其中，基于薄膜材料的可逆电阻开关效应的电阻式随机存取存储器，因其具有简单的器件结构、较高的存储密度、低压低功耗操作、高速擦写、较长的数据保持时间和极佳的尺寸缩小性等优势，并且其制备工艺与传统的CMOS工艺兼容，被认为是下一代通用新型存储器的最有力竞争者之一。氧化铋（Bi₂O₃）是一种重要的氧化物半导体材料，显现出很多吸引人的特性，越来越多的被人们所关注。近年来Bi₂O₃薄膜材料在应用方面吸引了人们极大地兴趣，分别已被应用在电子功能材料、电解质材料、光电材料、医用复合材料、高温超导材料、催化剂等方面。本文将讨论氧化铋的一个新的应用领域，即新型非挥发性存储器ReRAM方面的应用，主要探讨Bi₂O₃薄膜的电阻开关特性进行及工艺参数对其性能的影响。此次实验中我们先采用射频磁控溅射法在n型重掺硅上沉积一层Bi₂O₃薄膜，在使用热蒸发法在Bi₂O₃薄膜上镀上Au电极，最终制得了Au/Bi₂O₃/n+Si三明治结构的样品器件。通过UV-VIS光谱仪、X射线衍射仪（XRD）、I-V测试仪等测试方法对Bi₂O₃薄膜的生长状况以及它的电阻开关特性进行研究，并讨论不同的制备条件对器件的性能影响。研究表明：由射频磁控溅射法制备的Bi₂O₃薄膜具有单极性电阻开关特性，其初始化（forming）电压和设置（set）电压大小与薄膜的厚度以及薄膜结晶状况有关，薄膜越厚，forming和set电压越大，薄膜的结晶度越好，氧空位等缺陷越少，其forming和set电压越小；复位（reset）过程的能量大小与薄膜厚度与氧空位密度有关，薄膜越厚或氧空位较多时，forming形成的导电细丝越粗，reset过程熔断导电丝的能量越大。