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现今,存储器已经十分广泛地应用于各种电子产品中,并扮演着越来越重要的角色。随着电子技术与集成电路的飞速发展,人们对存储器的性能也提出了更高的要求。虽然闪存有很多优点,但随着器件尺寸不能一直减小,否则将导致浮栅氧化层厚度将一直减小,量子隧穿效应会造成导致器件存在严重的漏电,散热差等问题,从而影响存储器的可靠性和稳定性。因此,其很难得到进一步的发展。基于此,人们开始研究新的非挥发性随机存储技术。目前已研制出多种新型非挥发性存储器,其中包括铁电存储器(FRAM)、磁存储器(MRAM)、相变存储器(PRAM