栅漏电容相关论文
提出了一种埋氧化物槽栅双极模式功率JFET(BTB-JFET),其面向低压高频开关应用.首次通过仿真对BTB-JFET、常规的槽栅双极模式JFET(T......
此处主要对LDMOS栅漏电容（CGD）进行分析与计算,并借助二维器件模拟软件MEDICI模拟并分析了栅漏电容与漏源电压的关系,通过计算得到的......
多晶硅薄膜晶体管具有独特的栅电容特性,即泄漏区中栅源电容的反常增大和饱和区中栅漏电容由于kink效应的增大。基于Meyer模型,考......
提出了一种应用于射频领域的复合多晶硅栅LDMOS结构（DMG-LDMOS），并给出了工艺实现方法。此结构采用了栅工程的概念，所设计的栅电极由S-......
借助软件,模拟并研究了SOI LDMOS栅漏电容Cgd与栅源电压Vgs和漏源电压Vds的关系;研究了栅氧化层厚度,漂移区注入剂量,P阱注入剂量,......
在台栅垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOSFET)的结构基础上,利用常规硅工艺技术,研制出了一种具有屏蔽栅结构的射频......
功率MOS器件作为电力电子系统的核心,其研究热点之一为实现低功耗。其中,功率MOS的总功耗主要包括静态功耗和动态功耗,器件的静态......
本文系统地分析了CMOS低噪声放大器和混频器中的噪声和非线性性能。 本文证明了在CMOS源端degeneration结构的低噪声放大器中，忽......
碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表,基于SiC材料的器件相对于前两代半导体材料（第一代以锗、硅元素为代表的半导体和第二代以砷......
学位
设计了一款VDMOS器件的元胞结构,采用半超结结构模型.传统VDMOS结构的导通电阻会随着击穿电压的增长而增长,而半超结结构可以缓和......
功率MOSFET具有输入阻抗高、驱动功率低、开关速度快、频率特性好以及热稳定性高等优点,获得越来越广泛的应用。市场的广泛应用,对......
碳化硅（SiC）材料具有临界击穿电场强,热导率高,禁带宽度大等特点,在高功率、高频、高温的电力电子系统应用中具有优势。SiC MOSFET器......
学位
随着功率集成电路的迅猛发展,BCD(Bipolar CMOS DMOS,BCD)工艺已经成为主流的功率器件制备技术。作为BCD工艺核心的横向双扩散金属......
