本文系统地分析了CMOS低噪声放大器和混频器中的噪声和非线性性能。 本文证明了在CMOS源端degeneration结构的低噪声放大器中，忽略场效应管的栅漏电容将造成对放大管的最优栅宽估计过大。在考虑了该电容以后，本文给出了新的CMOS cascode结构低噪声放大器的优化方法。 基于伏特拉级数，本文推导出了描述CMOS cascode结构低噪声放大器三阶互调指标的方程。该理论分析由ADS给出的仿真结果所验证。我们把本文的结论与其他文献中的结论做了比较。本文详细分析了cascode场效应管对CMOS低噪声放大器的噪声和线性性能的影响。我们给出了对cascode场效应管的优化方法。 本文提出了一种快速估计CMOS Gilbert型混频器高频转换增益的算法。我们征明了在高频下，过大的本振将使得混频器的转换增益减小。这一趋势无法由低频近似模型给出。本文给出了ADS仿真结果来验证此理论分析。 通过求解描述CMOS Gilbert型混频器噪声性能的随机微分方程，本文给出了该类型混频器高频输出噪声的时变功率谱密度。我们证明了，与低频近似模型相似，混频器中的开关对的开关性能越好，则输出噪声越小。 本文给出了当前文献中对CMOS Gilbert型混频器互调失真分析的概述，并对分析混频器非线性性能中所遇到的主要困难进行了详细讨论。我们定性的讨论了CMOS Gilbert型混频器的设计流程和优化方法。