应变超晶格相关论文
从势和场的观点出发讨论了带电粒子在应变超晶格中的运动行为.在经典力学框架内和偶极近似下,引入正弦平方势,把粒子运动方程化为......
用低压金属有机物气相外延(LP-MOCVD)技术,采用低温缓冲层生长法,在GaAs(100)衬底上直接生长了高质量的InP外延层。12 μm InP(0......
利用Fourier展开, 将应变超晶格中的粒子运动问题转化为多频激励的摆方程问题。用Melnikov方法和Lyapunov方法讨论了系统的稳定性,......
用低压金属有机物气相外延(LP-MOCVD)技术,采用低温缓冲层生长法,在GaAs(100)衬底上直接生长了高质量的InP外延层.1.2 μm InP(004......
分析了InAs／GalnSb应变层超晶格、A1GaN／GaN量子阱和超晶格红外光电薄膜材料的界面结合类型及其对材料界面结构和光电性能的影响。描......
利用正弦平方势, 把粒子运动方程化为具有δ力矩的摆方程. 分析了无扰动系统的相平面特征, 计算了扰动系统的退道效应. 讨论了退道......
砷化镓(Ga As)类光阴极已经被广泛用于为电子枪提供自旋极化电子束。为满足现代电子加速器的苛刻需求,这些光阴极必须具备以下特征......
用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究退火及离子注入对分子束外延生长的ＧｅＳｉ／Ｓｉ应变超晶格性质的影响，观察到３个与位错有关的深中心和１个表层内的深中心，退火和......
我们首次观测到ZnSe—ZnS应变超晶格的n=1,n=2两个子能带的重、轻空穴激子的吸收光谱。根据LCAO理论、应变感应能带结构理论与Kron......
如何将具备不同光电特性的异质半导体材料,尤其是以GaAs、InP为代表的III-V族化合物半导体材料与Si材料利用大失配异质外延的方法......
