干氧氧化相关论文
SiC金属氧化物半导体(MOS)器件中SiO_2栅氧化层的可靠性直接影响器件的功能。为了开发高可靠性的栅氧化层,将n型4H-SiC(0001)外延......
题示Ⅰ前言Ⅱ普通热生长二氧化硅MOS器件的辐照效应一、MOS器件的永久性辐照响应二、MOS器件的瞬时辐照响应Ⅲ MOS器件的辐照加固......
通过实验对热氧化工艺中的两种不同方法,即干氧氧化和水汽氧化进行了比较研究,证明了利用这种工艺形成硅基片硬质掩膜的可行性.......
高压氧化系统正被人们用于高密度集成电路的生产中,以便在低温下获得快速氧化;商品化的系统可提供高达25个大气压的压力,这对湿氧......
本化研究了1050℃至1200℃下<100>硅在1.1.1.—三氯乙烷(C33)跟干氧的混合物中的氧化对二氧化硅和硅特性的影响。加到氧气流中的三......
高效晶体硅太阳电池是光伏电池领域的热门研究之一。半导体硅表面存在大量悬挂键、断键等不饱和键,容易在禁带形成复合中心能级,加......
PECVD沉积的SiNx膜具有优良的减反射作用和成本低等优点,这使其在太阳电池的大规模生产中得到了广泛的应用。然而SiNx/Si界面性质......
