封装可靠性相关论文
碳化硅功率二极管碳化硅功率二极管耐高温、耐高电压、开关速度快,是目前商业化功率器件中发展最快的功率器件。但目前,碳化硅功率......
随着微电子封装技术的不断发展，封装器件中的焊点节距也越来越小，对可靠性也提出了更高的要求，提高焊点的可靠性己成为发展新型BGA-CS......
介绍了倒装芯片贴装工艺中焊剂涂布技术的工艺控制、芯片贴装及回流过程的条件控制.讨论了贴装工艺中焊剂材料的热远配参数和改进......
选取BSn89．3CuInAg和BSng0．7CuInAg两种无铅焊料，对其剪切强度、热冲击、温度循环、机械冲击、扫频振动、恒定加速度、空洞检测等性能......
对Sn／3．5Ag／0．7Cu，Sn／3Ag／3Bi／0．5Cu和Sn／BAg／BBi／0．5Cu／0．1Ni三种BGA无铅焊球（φ0．76mm）经不同热循环后，在FR-4基板上的剪切强度进行了测量．采用SEM和E......
IGBT模块现已成为功率范围从数百瓦到数兆瓦的电能变换和控制设备中的主流功率器件,围绕IGBT模块封装可靠性,通过介绍IGBT模块内部......
2010年03月1日，本刊讯，DSSIMULIA宣布，AHD已采用Abaqus有限元分析软件对倒装芯片进行封装的可靠性分析。......
陶瓷材料具有高强度、高热导率、良好的尺寸稳定性及气密性等优良性能,成为航空航天、军用电子、汽车电子等环境恶劣及高可靠性需......
概述了美国国家半导体的晶圆级芯片规模封装技术——也就是微型表面贴装元器件（MicroSMD）。采用8I／O数、凸点节距为0．5mm封装论证此新......
密封微电子器件在对可靠性要求较高领域占有绝对的地位,为了研究长期室内自然贮存对密封微电子封装性能的影响,对贮存在北京某研究......
电化学迁移(ECM:Electrochemical Migration)是电路短路失效的重要原因之一,它与工作电压、工作环境、设备尺寸紧密相关。现代电路......
1可靠性试验1．1可靠性试验常用术语1．2可靠性试验条件和判断1．3塑料密封等级1．4集成电路封装在设计过程中可靠性的考虑1．4．1封装所用主要......
铜线键合工艺作为当前框架类集成电路封装降低成本的重要措施，但是，铜线带来的相关工艺调整和可靠性认证，以及客户的认证都是当前需要......
随着电子封装技术向更小和更高密度方向发展,三维封装方式应运而生。叠层芯片封装提高了封装密度,减小芯片之间的互连长度,使器件......
通过使用传统BT类型的PWB材料与独特的PWB材料来评定PBGA封装的可靠性。相关的研究结果表明,后者同样具有相同的热循环稳定性和回......
<正> 集成电路封装在设计过程的中可靠性考虑封装工艺控制要关注的方面如下:1、集成电路封装中球焊后金线拉力最低要求应该考虑金......
集成电路不断向着高集成度、小尺寸的方向发展,为了保证集成电路的能够正常工作,电子封装产业也在迅速发展,特别是连结集成电路与......
芯片堆叠封装技术是实现NAND存储器的高容量和薄型化的理想解决方案,它能够满足市场对存储器小型化和便携式的要求。但其进一步的......
圆片级可靠性测试是从可靠性物理的基础上发展起来的,利用工艺过程统计的控制方法来收集数据,并且通过快速的参数测量来检测出导致......
