双量子阱相关论文
作为一种新型的半导体激光器件,双量子阱半导体激光器可以在同样电流下输出相当于单量子阱半导体激光器两倍的光功率。本文主要进......
通过传输矩阵方法,计算模拟了两种单负材料组成一维光子晶体双量子阱结构的透射谱.研究发现:由于双量子阱结构双阱之间的相互耦合......
选取Al0.3Ga0.7As/GaAs的非对称双量子阱结构,在有效质量近似条件下计入电子-电子相互作用所产生的Hartree势,采用转移矩阵方法研......
通过改变发光层的厚度,制备了一种双量子阱结构的有机电致发光器件(OLEDs),其结构为ITO/2T-NATA(20nm)/NPBX(50nm)/[Alq3:2%C545(d......
本文利用非傍轴矢量矩理论,分析了940 nm InGaAs/AlGaAs 分别限制双量子阱(SCH DQW)激光器在垂直于p-n 结面方向上的光束质量因子2 ......
由于在揭示电子-电子相互作用机制方面的重要性,半导体低维结构(超晶格、量子阱、量子线和量子点等)中的集体激发性质的研究是凝聚......
论文的的第一章对非线性光学的研究背景、基本概念及研究方法作了简单的介绍,并对近年来人们在低维半导体系统中非线性光学的研究......
本文考虑内建电场的作用,计入能带弯曲因子的影响,运用有限差分法自洽求解薛定谔方程和泊松方程,得到纤锌矿ZnO/Zn1-xMgxO非对称双量......
超短激光脉冲具有极短的持续时间和极强的峰值功率,它在物理、化学、生物以及交叉科学领域都有非常吸引人的应用前景,如控制物理化学......
利用微观运动方程计算了超快红外泵浦光引起的半导体双量子阱结构的子带间极化.基于自洽场理论,可以求出瞬态探测光吸收系数.这一......
用量子不变量理论研究双量子阱系统 ,求出此系统的精确解 ,并利用此精确解求出了对绝热近似的任意阶修正......
用量子力学的密度矩阵和迭代的方法,得到双量子阱的光致折射率改变的解析表达式,并以典型的GaAs/AlGaAs双量子阱为例,进行数值计算......
(FWM ) 一个分析方法这里基于四波浪的混合被开发在一个不对称的半导体学习纠缠的状态的产生两倍量井结构。二根横梁(探查和四波浪......
由于微制造技术的不断发展,如液相外延(LPE),气相外延(VPE),金属有机化学气相沉积(MOCVD)以及分子束外延技术(MBE)等先进的材料生......
叙述了磷离子注入方法诱导具有不同发射波长的InGaAsP双量子阱结构的混合,并通过光致发光谱和断面透射电子显微术对量子阱混合的程......
我们表明 ultras 的形成有在两倍量井(SDQW ) 结构由使用仅仅低紧张的搏动的激光放射基于 intersubband 转移的一个不对称的半导体......
这篇论文在不对称的夫妇量调查连续变量的纠纷的产生和进化很好(CQW ) 系统。我们的数字结果证明这个 CQW 系统能在洞域的大量起始......
报道了采用双量子阱结构制备的一种新型的黄光有机电致发光器件.器件结构为:ITO/CuPc/NPB/Alq3/Alq3:Rhodamine B/Alq3/Alq3:RhodamineB/Alq......
利用微观运动方程计算了超快红外泵浦光引起的半导体双量子阱结构的子带间极化。基于自洽场理论,可以求出瞬态探测光吸收系数。这一......
通过对电子在量子阱中的运动行为与经典的弦振动的类比,形象地介绍了金属薄膜中磁性交换耦合的量子阱效应机制研究新进展。电子的几......
在双量子阱近似下,用变分法计算了(ZnSe)n/(ZnS)m应变层超晶格的激子结合能,为光致发光谱和光致发光振荡谱的分析提供了依据和参考数据。......
用有机荧光染料罗丹明B(Rhodamine B)作为掺杂剂,采用双量子阱结构制备了一种新型的黄光有机电致发光器件,器件结构及各层厚度为:ITO/CuP......
测量了50余只980nmInGaAsP/InGaAs/AlGa As 双量子阱高功率半导体激光器的低频电噪声及其V-I特性。结果表明,小注入情况下,980nm半导......
在双抛量子阱(Double Parabolic Quantum Well)中令势垒厚L_b=0,可得到类似"δ"势结构,在此基础上计算了"δ"势阱中的电子能级和类......
提出了一种新的计算双量子阱结构中电子共振隧穿时间的相干模型,理论计算与报道的实验结果基本一致.进一步的讨论表明,在有电子散......
报道用光调制反射谱和光致发光方法对非对称的GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As耦合双量子阱研究的实验结果。在300K和77K下测量了光调制反......
讨论了耦合双量子阱的光荧光性质,并着重对不同垒宽样品的荧光性质与激发功率的关系进行了详细讨论,分析了导带子带间弛豫过程的竞争......
本文考虑自发与压电极化引起的内建电场,基于常微分数值计算方法,求解纤锌矿GaN/Al0.2Ga0.8N对称和非对称应变双量子阱中,电子与空......
为了研究双量子阱的垒宽、阱宽以及杂质位置对浅施主杂质束缚能的影响。在有效质量近似下.采用变分方法计算厂对称GaAs/AlxGa1-xAs双......
锥形半导体激光器具有高亮度、高光束质量等特点。通过借助数值模拟仿真软件Lastip,优化设计了976 nm锥形半导体激光器结构。在低......
本论文从半导体材料和能带结构出发,主要对Ak0.3Ga0.7As/GaAs的非对称双量子阱结构中的跃迁和光吸收性质及电子相干逃逸进行了详细......
半导体低维结构是近些年来半导体领域的新拓展,它在一个新的水平上有力地推进着半导体的研究和应用。超晶格概念的提出以及半导体......