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为了研究双量子阱的垒宽、阱宽以及杂质位置对浅施主杂质束缚能的影响。在有效质量近似下．采用变分方法计算厂对称GaAs／AlxGa1-xAs双量子阱中浅施主杂质的束缚能，本文结果与已有结果吻合较好．体系束缚能随垒宽的增加越来越接近单阱的情况，并且在阱宽较窄时体系束缚能有一最小值.
浅施主杂质在对称GaAs／AlxGa1—xAs双量子阱中的束缚能
【摘 要】
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为了研究双量子阱的垒宽、阱宽以及杂质位置对浅施主杂质束缚能的影响。在有效质量近似下．采用变分方法计算厂对称GaAs／AlxGa1-xAs双量子阱中浅施主杂质的束缚能，本文结果与已有
【机 构】
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河北师范大学物理科学与信息工程学院
【出 处】
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北京工业大学学报
【发表日期】
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2007年1期
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