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我们表明 ultras 的形成有在两倍量井(SDQW ) 结构由使用仅仅低紧张的搏动的激光放射基于 intersubband 转移的一个不对称的半导体的一个四水平的计划的低黑暗光 solitons。与适当条件,我们数字地证明黑暗光 soliton 能与 ultras 旅行低组速度 V <SUB > g </SUB>/c ~ 10 <SUP>−3</SUP> 。因为它的灵活设计和可控制的干扰力量,如此的一个半导体系统是比它的原子对应物更实际