半绝缘砷化镓相关论文
纳秒、亚纳秒超快高压电脉冲在超宽带雷达、低温等离子体技术、生物医疗、激光技术等国防、科研及工业领域具有广阔的应用前景。近......
利用垂直梯度凝固生长技术(VGF)制备了半绝缘砷化镓晶锭,经线锯切割后对晶片进行长时间的高温退火。在退火工艺前对晶片进行不同方......
本文研究了LEC SI-GsAs衬底上常见的两种缺陷,AB微缺陷和位错(AB腐蚀液显示出AB微缺陷,密度为10-10cm量级;KOH腐蚀液显示位错,密度......
本文报道了整锭热退火对IEC-SI-GaAs单晶特性的影响.研究发现,在950℃温度和5小时条件下,对SI-GaAs单晶整锭热退火后,单晶的电阻率......
High Hole Mobility of GaSb Relaxed Epilayer Grown on GaAs Substrate by MOCVD through Interfacial Mis
The structural property of GaSb epilayers grown on semi-insulator GaAs (001) substrate by metalorganic chemical vapor de......
研究了Si+ 和Si+ /As+ 注入到HorizontalBridgman (HB)和LiquidEncapsulatedCzochralski(LEC)方法制备的半绝缘GaAs衬底电激活效率......
利用金相显微镜和微区红外测量技术分析热处理对液封直拉法生长的大直径半绝缘砷化镓(LEC SI-GaAs)单晶中深施主缺陷EL2的影响。结......
计算机模拟表明,对于常规的光生电流瞬态谱,如果样品中两个深能级缺陷的信号因位置接近而互相迭加,则在确定这些缺陷的参数时会由......
本文介绍了热激电流的测量装置和测量技术.测量了半绝缘砷化镓中缺陷深能级的热激电流镨,并依此计算了深能级的位置.研究了半绝缘......
半绝缘砷化镓(SI-GaAs)衬底的质量对离子注入器件的性能有重要影响,其中位错和微缺陷是主要因素.本文采用超声AB腐蚀法,熔融KOH腐......
研究了扫描光致发光光谱(PL mapping)在表征半绝缘砷化镓(SI-GaAs)材料中的应用 ，实验结果表明SI-GaAs晶片的PL强度及mapping均匀性......
液封直拉法生产的半绝缘砷化镓单晶（LEC SI-GaAs）被广泛用于微波器件和高频集成电路的衬底材料，成为当代信息产业的重要材料之一。随......
建立了绝缘电阻大于 1 0 13Ω和温度起伏小于 0 .1℃的半绝缘砷化镓Hall测量装置。研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、......
本文利用红外光谱分析技术系统分析大直径LEc(Light Energy converter光能转换器)Si-GaAs中深施主缺陷EL2的浓度分布.实验结果表明......
通过波长为1064 nm的重频激光光脉冲触发半绝缘GaAs光导开关损伤测试实验,观察脉冲激光触发过程中光电导开关电阻率的变化,对比低......
通过AB腐蚀 (由Abrahams和Buiocchi发明的腐蚀方法 ,简称AB腐蚀 )、KOH腐蚀 ,经金相显微镜观察、透射电子显微镜能谱分析、电子探......
研究了LEC-SI-GaAs单晶热处理前后深能级陷阱的变化,比较了原生晶体在不同条件的热退火后SI-GaAs单晶中深能级陷阱的特性,分析了产......
由中国科学院半导体研究所和北京中科镓英半导体有限公司共同承担的“863项目”——直径6英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术研究成果，不......
本文介绍了使用通用计算机上部控制ＰＥＬａｍｂｄａ－９分光光度计，设计完成了数据处理工作站，利用此工作站形成了一套半绝缘砷化镓中ＥＬ２浓度微区分布的自动......
本文利用光学显微技术系统分析热处理对液封直拉法生长的半绝缘砷化镓(LEC SI-GaAs)中本征缺陷的影响。实验结果表明,晶体生长后的......
本文利用红外光谱分析技术系统分析大直径LEC（Light Energy Converter光能转换器）Si—GaAs中深施主缺陷EL2的浓度分布。实验结果表明......
本文介绍了国内外ＳＩ－ＧａＡｓ材料的市场现状应用，简述了ＳＩ－ＧａＡｓ材料制备新工艺和提高质量水平的途径，指出ＳＩ－ＧａＡｓ材料的发展方向及市场前景，并对我国ＳＩ－ＧａＡｓ材料与国外......
分析了半绝缘（ＳＩ）ＧａＡｓ表面光伏的特点和公式。用表面光伏方法测量了不同砷压热处理ＳＩ－ＧａＡｓ单晶的双极扩散长度，用１．１μｍ红外吸收法测量ＥＬ２浓度，并对测量结构......
用离子注入的方法把Mn注入到非掺杂半绝缘(100)GaAs中,用霍尔以及电化学C-V方法研究了热处理温度对样品电特性的影响.发现在650～850......
研究了扫描光致发光光谱（ＰＬｍａｐｐｉｎｇ）在表征半绝缘砷化镓（ＳＩ－ＧａＡｓ）材料中的应用，实验结果表明ＳＩ－ＧａＡｓ晶片的强度及ｍａｐｐｉｎｇ均匀性对器件性能有着十分密切的关系，所以在为制......
本文报导了LEC法SI—GaAs单晶的研制及结果分析。在SI—GaAs非掺杂单晶生长基础上,生长了一种轻掺铬的SI—GaAs单晶,并在VPE等应用......
对非掺杂(ND)半绝缘(SI)液封直拉(LEC)GaAs单晶在500～1170℃温度范围进行了单步和多步的热处理和淬火,研究了热处理及淬火对GaAs中E......
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稳定的欧姆接触对半导体器件的正常工作起到至关重要的作用.目前市场上主要采用金/金锗镍合金作为n型GaAs的电极材料,工艺复杂,成......
建立了绝缘电阻大于１０＾１３Ω和温度起伏小于０．１℃的半绝缘砷化镓Ｈａｌｌ测量装置。研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺......
本文采用Ｓｉ＾＋和Ｓｉ＾＋、Ａｓ＾＋单、双离子多重注入半绝缘砷化镓［ＨＢ－ＳＩ ＧａＡｓ（Ｃｒ）］．研究发现，双离子注入层经无包封快速热退火后，激活率和电子迁移率较单Ｓｉ＾＋注入样品明显提......
用离子注入的方法把Si注入到大直径LEC SI-GaAs中,用霍尔测量方法研究了热处理条件对样品电特性的影响。发现在快速热退火温度为90......
砷化镓（GaAs）是一种重要的化合物半导体材料，具有电子迁移率高、直接跃迁型能带结构等优点，适合于制造高频、高速、耐高温、抗辐射和发......
半绝缘砷化镓(SI-GaAs)的抛光片作为微波大功率器件、低噪声器件等的重要衬底材料而被广泛应用。为提高产品的表面质量、良品率以......
在 950℃和 1120℃温度下,对非掺杂(ND)半绝缘(SI)液封直拉(LEC) GaAs 单晶进行了不同砷气压条件的热处理,研究了热处理对本征缺陷......
<正> 一、引言 由于SI-GaAs材料在技术上的极端重要性,决定其半绝缘性质的EL2能级成为最受关注的深能级之一。近几年来,人们通过大......
本文介绍了热激电流谱(TSC)测试方法,测量了SI-GaAs材料的TSC特征谱图。并对SI-GaAs的深能级中心的行为进行了初步的分析。......
本文报导了LEC法半绝缘砷化镓单晶中含碳量对SI-GaAs热稳定性的影响。在800℃以上退火,发现当晶体中C含量大于1.5×1016cm-3时,SI-......
