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分析了半绝缘（ＳＩ）ＧａＡｓ表面光伏的特点和公式。用表面光伏方法测量了不同砷压热处理ＳＩ－ＧａＡｓ单晶的双极扩散长度，用１．１μｍ红外吸收法测量ＥＬ２浓度，并对测量结构作了分析和讨论。指出双极扩散长度Ｌａ是反映ＳＩ－ＧａＡｓ质量的一个重要电学参数。
半绝缘GaAs中的双极扩散长度
【摘 要】
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分析了半绝缘（ＳＩ）ＧａＡｓ表面光伏的特点和公式。用表面光伏方法测量了不同砷压热处理ＳＩ－ＧａＡｓ单晶的双极扩散长度，用１．１μｍ红外吸收法测量ＥＬ２浓度，并对测量结构作了分析和讨论。指出双极扩散长度Ｌａ是反映ＳＩ－ＧａＡｓ质
【机 构】
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厦门大学物理学系
【出 处】
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厦门大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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1999年5期
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