光电导特性相关论文
<正>一、引言 半绝缘砷化镓晶体是砷化镓场效应晶体管(FET)的衬底材料,它的质量直接影响FET器件的性能,特别是该器件采用离子注入......
本文首次报道了用真空热蒸发法制备酞菁铜/硫化锌(CuPc/ZnS)变替多层复合薄膜,研究了CuPc和ZnS膜层厚度和复合膜层数以及制备工艺......
采用真空膜方法制备了两种晶态结构的酞菁锡（ＳｎＰｃ）多晶膜。运用吸收光谱、偏振光谱和Ｘ射线衍射谱进行了表征和分析。测量了ＩＴＯ／ＳｎＰｃ／Ａｌ的夹心结构的光......
本文报道了用MOCVD方法制备单晶GaN薄膜的紫外光电导特性.结果表明,没有进行Mg掺杂和弱掺杂的样品具有显著的光响应,而且光响应弛......
ZnO是宽带隙半导体材料,具有优良的光学和电学性质,广泛应用于紫外发射器件、紫外激光器件和紫外探测器等领域。本论文采用KrF准分......
本文首次报道了用真空热蒸发法制备 Cu Pc/ Zn S交替多层复合薄膜 ,研究 Cu Pc和Zn S的层数以及制备工艺对薄膜光电性能和结构的影......
引言rn有机光电导颜料由于其独特的性质在光电子领域引起研究者的极大兴趣.其中,偶氮类颜料由于其具有成本低、来源丰富、易于加工......
简要介绍了国内外关于PbSe薄膜的制备方法与发展状况，分别以硒脲和硒粉为主要原料，用化学浴沉积法制备了PbSe多晶薄膜。对所制备薄膜......
简要介绍了国内外关于PbSe薄膜的制备方法与发展状况，分别以硒脲和硒粉为主要原料，用化学浴沉积法制备了PbSe多晶薄膜。对所制备薄膜......
从GaAs光电导开关的激子效应和光激发电荷畴理论基础出发,研究了强电场触发下GaAs光电导开关激子效应的光电导特性;光激发电荷畴与......
为了找到制备CuPc/ZnS多层复合膜薄膜最佳光电导性能的参数,本文研究了CuPc/ZnS多层复合膜的CuPc膜层的厚度系列、ZnS膜层的厚度系......
为研究使用不同形状光斑触发光导开关对光电导特性的影响，研制了12mm间隙的半绝缘砷化镓光导开关，在不同的偏置电压下，使用波长为1064......
设计了横向结构的半绝缘GaAs光导开关和SiC光导开关。在不同的直流偏置电压下,使用波长为1 064 nm的激光脉冲触发使开关导通,研究......
本文首次研究了DCEL屏的光电导特性,结果表明,Zn:Mn(?)Cu粉末DCEL屏的光电导特性主要是由于DCEL屏形成过程中,因Cu~+离子迁移而在......
为了找到制备具有最佳光电导性能的CuPc/ZnS多层复合薄膜的工艺参数,研究了CuPc/ZnS多层复合膜的层数系列、CuPc膜层的厚度系列、Z......
介绍了基于紫外光敏材料硅酸铋（BSO）晶体光寻址液晶光阀（LCLV）的工作原理和设计要求。研究BSO的光电导特性,论述了BSO晶体产生光电导效......
采用透射电镜高分辨反射电子衍射、扫描电镜形貌观察、X射线衍射等不同方法测试了不同Mg含量的N型氮化镓薄膜的结构。几种测试方法......
介绍了如何把“ 半导体薄膜光电导效应” 实验引入到探究型物理实验教学中, 测量了不同膜厚的网状结构ZnO ∶Al薄膜的光电导特性.......
