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用离子注入的方法把Mn注入到非掺杂半绝缘(100)GaAs中,用霍尔以及电化学C-V方法研究了热处理温度对样品电特性的影响.发现在650～850℃温度范围内,随着退火温度的升高,样品的方块载流子浓度呈下降趋势,而载流子迁移率呈明显上升的趋势.这是由于在退火过程中,随着退火温度的升高,有更多的Mn参与MnAs或MnGa相的形成,使得以受主形式存在的Mn减少,并且晶格缺陷得到恢复所致.同时进行了Mn、C双注入实验,分析了C对样品电特性的影响.