区域熔化相关论文
第一期高路不锈翎中裂较的研究········……,..........................................…… ·········~··......
利用高梯度定向凝固装置，研究了镍基高温合金ＤＺ２２在高梯度快速定向凝固下的碳化物形态和分布．结果表明，高速定向凝固条件下的ＭＣ型碳化物呈单......
报导了纯铁浮区熔化过程中杂质碳、氧的行为。电解铁经真空感应熔炼和真空铸锭后,制成直径为10毫米的试样。当区域熔化时,熔区下的......
一、真空分凝过程中杂质的行为Pfan〔1〕曾推导了熔体定向凝固(也称正常凝固)和一次区域熔化杂质浓度沿锭长的分布方程:定向凝固:......
随着我厂电力机车生产任务的增长,对工模具的使用寿命和可靠性提出了新的要求。尤其是如何提高冲制批量很大的0.5毫米厚矽钢片制......
杂质的分配系数是一个重要的物理化学常数。金属在凝固过程中,利用溶质在固液相中的不同分配,可对结晶物质中可溶性杂质的分布进......
液铀的表面张力,曾有Rosen,Spriet,Cahill和Hoage等人进行测定,结果互不一致。我们研究建立一套可在真空或保护气氛下高温送样的......
用作半导体材料的锗和硅,需要高度纯化方能使用,已为众所周知。在研究金属的许多物理性质方面,如结晶凝固的过程,金属的强度、腐......
本文作者是“区域熔化法”的发明人。作者现身说法,介绍了区域熔化法发明的前后情况。相信本文对读者,尤其是对年轻的科技工作者会......
刘民治,男,汉族,1920年1月生于四川省安县。现任成都科技大学金属材料系教授、中科院金属研究所客座研究员,兼任中国机械工程学会......
本文阐述近二十余年来除锗、硅之外,我国高纯金属的研究和生产的发展概况,同时展望了这个领域的技术发展动向.
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本文是关于在15≤R(稀土元素)≤20克分子％、52≤Co≤77克分子％、8≤Cu≤30克分子％的合金中添加0.31～1.54克分子％锡的永磁合金。由于添......
采用JSL－500区域熔化真空定向凝固装置，对TbDyFe超磁致伸缩合金定向凝固轴向择优取向、组织和磁致伸缩性能的研究表明：温度梯度GL≈70......
本工作是用X射线衍射法测量锗、硅和合金InSb及GaAs在不同温度的点阵常数,观察它们的热膨涨,并求得它们的膨涨系数。
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引言由于半导体器件在国防及国民經济中的应用有了很大的发展,目前广泛使用的鍺、硅材料的性能已不能滿足許多新的要求了。这种情......
由英国Bath大学教授B.R.Pamplin主编的《晶体生长》中译本已于1981年12月由中国建筑工业出版社出版。该书由晶体生长领域的18位学......
在绝缘层上生长硅材料的 SOI(Silicon on Insulator)技术对于制作高密度的 MOS 电路与新型的三维集成电路有重要的应用前景,近几......
在加速器驱动的洁净核能系统(ADS)中,中子产生靶有两种类型:液态金属靶和固体金属靶。固体金属靶一般采用钨。在无辐照场的水中,钨......
采用自行研制的HCPD-I型脉冲电流冲击装置对含有预制单边疲劳裂纹的316奥氏体不锈钢进行脉冲电流处理,研究了高密度脉冲电流对裂纹......
采用SEM、EPMA、TEM以及显微硬度测试等手段,研究了温度梯度区域熔化(TGZM)对Al-Cu-Mg合金溶质原子浓度分布、第二相析出以及显微......
利用近似积分解法求解第二类边界条件下一维有限域内的熔化问题，得到满足精度要求的隐式解。引入熔化系数，在一定参数范围内对隐式解......
自从临界温度高于液氮温度的Y-Ba-Cu-O超导体发现以来,为了使这种高Tc温度的超导线也具有高电流密度,科学家对其作了大量的研究,但......
从上述可见,若已知表示表面张力的拉普拉斯方程和充分的边界条件,则悬浮区域的形状能唯一地确定。如果我们应用这条件及硅的毛细......
<正> 半导体器件的应用正日益广泛地渗透到国防、自动化和其它国民经剂各部门,人们对它的研究感到了极大的兴趣。而这些半导体器件......
应用正则摄动方法研究了恒热流加热时半无限大区域内熔化问题,得到了一种近似分析解,所得结果对工程设计具有实用价值。
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在系统研究单晶连铸的基础上,提出小直径线材单晶化技术,该技术结合区域熔化技术和连续铸造技术,实现了"三个连续",即送料连续、加......
利用区域熔化-热型连铸法制备单晶铜线材这项新技术中,能否通过控制不同的加热功率和牵引速度来控制铸型温度场的合理分布是成功生......
