分布布拉格反射镜相关论文
该文采用Essential Macleod软件设计了一种在420 nm～480 nm波段且具有全入射角度、高反射率(大于96％)的TiO2/SiO2分布布拉格反射镜(D......
为实现垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）在808 nm波长的激射，对VCSEL芯片的整体结构进行了设计。基于应变量子阱的能带理论、固体模型......
作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,氮化镓(GaN)是当前研究的热点问题。由于具有禁带宽度大(3.4 eV)、击穿电场高、电子漂移速......
密集波分复用(DWDM)系统是能够充分利用光纤传输带宽的一种技术,特别是在大容量、超长距离的传输中,DWDM尤其具有优势。因此,研究......
对分布布拉格反射镜(DBR)的原理和特征进行了分析,使用传输矩阵方法计算了不同对数GaAs/A lAs反射镜的反射率曲线。利用分子束外延......
设计了目标探测波长为320nm的AlGaN基共振腔增强的p-i-n型紫外光电探测器,共振腔由分别作为底镜和顶镜的AlN/Al0.3Ga0.7 N布拉格反......
设计了反射中心波长为500nm的Al0.3Ga0.7N/GaN和AlN/GaN两种分布布拉格反射镜(DBR),并采用光学传递矩阵方法对其光谱反射率进行了......
文中利用MOCVD方法,采用高质量GaN作为缓冲层,在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同组分的A lxGa1-xN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)......
采用低压MOCVD技术生长了A lGaN/GaN、A lGaN/A lN等多种交替生长结构的半导体多层膜分布布拉格反射镜(DBR)。利用X射线衍射、扫描......
材料的自发辐射特性可通过将其置入微型光学腔体中而得到控制.详细论述了多孔硅微腔的制备方法和光学特性研究进展,讨论了多孔硅微......
采用表面微机械技术制作了一种1310nm基于InP／空气隙分布布拉格反射镜的微机械可调谐Fabry—Perot光滤波器。该滤波器的通光孔直径......
叙述了晶片键合技术的发展概况、基本原理和基本方法,分析了实现长波长垂直腔型器件的难点.最后介绍了晶片键合技术在长波长垂直腔......
采用气态源分子束外延（GSMBE）技术优化生长了GaAs／AlAs分布布拉格反射镜（DBR）材料，并用X射线衍射（XRD）及反射光谱对其生长质量进行了表征。......
半导体二极管激光器现在已成为我们日常生活最广泛使用和最重要的激光器。１９９７年全世界的销售已超过２亿支。据说，二极管激光器的应用随处......
对用于提高AlGaInP红光发光二极管出光效率的传统DBR进行了分析，用MOCVD生长了包含对垂直入射光反射的DBR和对斜入射光反射的DBR复......
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通过在N型分布布拉格反射镜(DBR)中采用高热导率AlAs材料,且增加AlAs层所占的厚度比例,在保持DBR反射率基本不变的情况下,大幅度增......
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垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，VCSEL）是光纤通信系统中应用的重要光源之一，1310nm VCSEL器件能够满足......
为了提高980nm垂直腔面发射激光器（VCSEL）列阵的整体性能,对列阵单元器件的分布布拉格反射镜（DBR）的反射率进行了优化。分析了DBR的反......
为实现垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)在808 nm波长的激射,对VCSEL芯片的整体结构进行了设计。基于应变量子阱的能带理论、固体......
在集成电路和集成光路都有了相当程度发展的今天,发展光电子集成自然成为了当前研究的重点课题。在光电集成研究中硅材料更受青睐......
Ⅲ族氮化物如GaN、InGaN、AlGaN等半导体材料,理论上可以用来制备光谱范围从红外光到紫外光的发光二极管(LED)和激光二极管(LD)。......
<正> 可调谐激光器被美国《TELECOMMUNNICATION》评为2000年十大电信热门技术之一。可调谐激光器很可能成为全光网中的闪亮点,它对......
近年来，有机电致发光二极管成为平板显示中最有前景的技术之一。然而，然而，由于有机材料的宽频带发光，不利于彩色显示，促使人们不断探索......
垂直腔面发射激光器（Vertical Cavity Surface Emitting Laser，简称VCSEL）是一种出光方向垂直于谐振腔表面的半导体激光器，具有体积小......
垂直腔面发射激光器（VCSEL）和边发射半导体激光器相比有很多优点，如阈值低、没有光学灾变损伤以及可以二维集成等。808-nm半导体激光......
光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器综合了可获得近衍射极限的TEM00模圆形光斑的垂直腔面发射半导体激光器和高功率激光二极管泵浦......
Ⅲ族氮化物(GaN,AlN及InN)半导体材料具有优异的光学和电学特性,已引起人们广泛的关注和研究。特别是在任意组分下都具有直接带隙......
Ⅲ-Ⅴ族量子阱红外探测器（QWIP）、雪崩光电探测器（APD）、谐振腔增强探测器（RCE-PD）光电导器件在不同的应用领域发挥重要的作用。在研究中......
垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers，简称VCSELs)作为一种新型激光器，具有优越的光电性能，且出射光垂直于......
针对当前2.0μm GaSb基垂直腔面发射激光器发展中由于传统的P面分布布拉格反射镜(P-DBRs)带来的高电阻和严重光吸收这一瓶颈问题,......
共振腔发光二极管是一种具有优良发光性能的光电器件。概述了对可见光共振腔发光二极管的共振腔结构、反射镜材料体系、基本工作机......
