【摘 要】
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在n+-GaAs(100)衬底上由分子束外延技术(MBE)生长了以[GaAs/AlAs]超晶格替代AlxGa1-xAs所形成的新型AlAs/[GaAs/AlAs]半导体/超晶格分布布拉格反射镜(DBR),并对此DBR的光、电
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在n+-GaAs(100)衬底上由分子束外延技术(MBE)生长了以[GaAs/AlAs]超晶格替代AlxGa1-xAs所形成的新型AlAs/[GaAs/AlAs]半导体/超晶格分布布拉格反射镜(DBR),并对此DBR的光、电学特性进行了实验测量.从实验获得的DBR的反射谱中得出,其反射谱中心波长为850nm,19周期此DBR的峰值反射率高达99.5%,反射带宽度为90nm左右.与此同时,由自行设计的二次钨丝掩模质子注入形成15×15μm2正方形电流注入区对p型DBR的串联电阻进行了测量,克服了化
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