二次离子质谱仪相关论文
以直径为3mm,高为1mm的Cu44.25Ag14.75Zr36Ti5圆棒状块体非晶合金为研究对象,研究了Al和Si两种不同元素在Cu44.25Ag14.75Zr36Ti5块......
二次离子质谱仪(SIMS)是表面分析中应用最广泛的技术之一。它的特点是高灵敏度(最低可探测浓度为ppm￣ppb数量级)和高分辨率(大约10!......
用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)设备生长了AlGaInAs压应变量子阱材料、应变补偿量子阱材料并进行了材料特性的测试，通过二次......
采用二次离子质谱仪(SIMS)测试了SiON和Ta双层扩散阻挡层及Ta扩散阻挡层的阻挡性能;采用X射线衍射仪(XRD)测量了沉积态有Ta阻挡层......
室温下使用MeV能量级Si,F和O离子对5keV B离子预注入后的n-型单晶Si(100)进行了辐照,应用二次离子质谱仪测试分析了掺杂物B原子的......
使用二次离子质谱仪分析了附加的空位型缺陷对单晶Si中注入B原子热扩散的影响.Si中B原子是通过30keV B离子室温注入而引入的,注入......
介绍了二次离子质谱仪(Secondary Ion Mass Spectrometry,SIMS)测试中一次离子束的各参数对测试的影响。研究发现,离子源的选择由......
本文简要叙述法国CAMECA公司,德国ION TOF GmbH公司新型的Nano SIMS50 IMS WF IMS SC UITRA TOF SIMS IV型二次离子质谱的特色,着......
【本刊讯】国家科技支撑计划课题“二次离子质谱仪器核心技术及关键部件研究与开发”不久前通过验收。通过该课题的实施，新建和完善......
通过SIMS对激光诱导扩散杂质浓度分布的研究,提出了一个测量扩散区只在μm量级或10μm量级范围内的杂质浓度分布的方法.首先利用光......
二次离子质谱仪作为一种强大的表面分析工具,在表面分析领域有着非常广泛的应用。本文报道了一种用于二次离子质谱仪的一次离子光......
介绍了二次离子质谱仪（Secondary Ion Mass Spectrometer， SIMS）的基本原理及其在焦平面红外半导体材料和器件制备工艺中发挥的重要作......
文本采用SIMS技术,分析了BF2+注入多晶硅栅退火前后F原子在多晶硅和SiO2中的迁移特性。结果表明,80keV,2×1015和5×1015cm-2 BF2+......
硫酸钠是浮法玻璃生产过程中常用的澄清剂，但其很难完全分解，进入锡槽后，玻璃中残余的硫酸盐在还原气氛下还原为硫化物，可能造成玻璃缺......
二次离子质谱(Secondary-ion-mass spectroscope SIMS),即用自身带有一定能量的离子束轰击待测样品表面，将样品表面的原子溅射出来......
本论文选择玻璃形成能力比较好的Cu基(Cu44.25Ag14.75Zr36Ti5)大块金属玻璃为研究对象，采用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微（SEM）、热分析......
以直径为3mm,高为1mm的Cu44.25Ag14.75Zr36Ti5圆棒状块体非晶合金为研究对象,研究了Al和Si两种不同元素在Cu44.25Ag14.75Zr36Ti5块......
本文采用真空蒸发镀膜技术和直流磁控溅射技术制备了不同金属(Ti、Al、 Ti/Al)过渡层A1N陶瓷覆Cu散热基板,实现了氮化铝(A1N)陶瓷......
