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介绍了二次离子质谱仪（Secondary Ion Mass Spectrometer， SIMS）的基本原理及其在焦平面红外半导体材料和器件制备工艺中发挥的重要作用。通过对掺砷碲镉汞和CdTe/InSb材料进行SIMS测试 ，研究了不同离子源和一次束流大小对测试结果的影响 ，为后续SIMS分析技术在红外探测器材料的进一步研究奠定了基础。