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[期刊论文] 作者：黄敞,
来源：系统工程与电子技术：英文版 年份：1992
Research and development work of space microelectronics of China startedin 1965 as part of the space development program of China. Jointcoordination administere...
[期刊论文] 作者：黄敞,
来源：航天出国考察技术报告 年份：1992
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[期刊论文] 作者：黄敞,
来源：航天出国考察技术报告 年份：1991
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[期刊论文] 作者：黄敞,
来源：农村百事通 年份：2015
一、机具的田间使用 1.机具工作之前，检查旋耕刀的刀刃方向以避免装反，旋耕刀销轴和万向节锁销是否牢靠，确认无误后方可正常使用。 2.发动拖拉机时，应确保机具离合器操作手柄处于分离位置。 3.要保证机具提起并处于悬空状态时才可以接合动力，当旋耕刀达到额......
[期刊论文] 作者：黄敞,
来源：中国科技论坛 年份：1986
【正】 赵总理在“七五”计划的报告中指出:“七五”时期是我国经济发展战略和经济体制进一步由旧模式向新模式转换的关键时期,也是世界新技术革命迅猛发展的时期。在这个时...
[期刊论文] 作者：黄敞,,
来源：广东科技 年份：2009
分析了我国变电站自动化水平的现状，介绍了变电站综合自动化系统的主要产品及不同产品的接口问题，并提出了几点看法。...
[期刊论文] 作者：黄敞,
来源：微电子学与计算机 年份：1992
文章介绍了微电子技术在航天系统中的地位及其基本规律;微电子产品的更新换代,最后提出了对我国发展航天微电子技术的几点建议。...
[期刊论文] 作者：黄敞,,
来源：电子计算机动态 年份：1965
四十年代末期,电子学中的两个重要的新技术:(一)半导体晶体管和(二)电子计算机初露苗头,经十几年的发展已成为互相有关的两个重要科学技术领域和电子工业生产体系。目前,计...
[会议论文] 作者：武平,黄敞,
来源：全国第六届IC CAD学术年会 年份：1991
该文基于器件内部载流总量的分析方法、计算机模拟和实验结果，进行的薄层、亚微米ＳＯＩ／ＣＭＯＳ器件与ＩＣ的理论研究，尤其着重于瞬态性能的分析。薄层、亚微米ＳＯＩ／ＣＭＯＳ器件优良的性能，使得其可以实现新一......
[期刊论文] 作者：余山,黄敞,
来源：系统工程与电子技术 年份：1993
根据载流子总量分析方法,建立了深亚微米CMOS集成数值模型,把电路的端特性与器件内部载流子的运动状态联系起来,解决了经验解析公式在亚微米时的局限,完成了对0.20μm LDD CM...
[期刊论文] 作者：杜敏,黄敞,
来源：半导体学报 年份：1991
本文给出一种SOI CMOS门级二维集成数值模型.该模型直接将端点电流、端点电压与内部载流子的输运过程联系在一起,可准确地模拟亚微米SOI CMOS反相器的瞬态特性、并给出清晰的...
[期刊论文] 作者：冯国进,黄敞,
来源：北京师范大学学报：自然科学版 年份：1996
从半导体器件的基本方程出发，采用数值模拟方法，按照电流增益截止频率的定义，模似计算了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ的ｆＴ，以及偏置电压和输入信号幅值对ｆＴ的影响，给出了电流放大系数随频变化的复平面图。......
[期刊论文] 作者：张兴,黄敞,
来源：微电子学与计算机 年份：1992
文章主要分析讨论薄层SOI(绝缘层上的硅)器件的击穿特性。采用两种载流子产生、复合作用的器件模型进行二维数值模拟的方法,揭示了薄硅层OSI MOSFET击穿电压降低是由于漏区附...
[期刊论文] 作者：黄敞,伊春乐,
来源：电子学报 年份：1979
本文叙述了注入型电路的器件物理。注入型电路包括I~2L、I~3L、S~2L、SFL、SI~2L以及3JL等,它们的核心是三个相互作用的PN结。 采用“过剩少数载流子总量”的方法,从电流连续...
[期刊论文] 作者：黄敞,许平,
来源：微电子学与计算机 年份：2004
在研制双极大规模集成电路的过程中,人们认识到以下三个特点:(1)饱和型开关电路以共发射极三极管为基本开关元件,因此,如果用基片作为发射区就可以省略掉三极管之间的隔离;(...
[期刊论文] 作者：黄敞,张成勋,
来源：微电子学与计算机 年份：1992
文章介绍了微电子技术在航天系统中的地位及其基本规律;微电子产品的更新换代,最后提出了对我国发展航天微电子技术的几点建议。This article introduces the status and b...
[期刊论文] 作者：杜敏,黄敞,
来源：半导体学报 年份：1988
本文介绍一种新的采用载流子总量方法分析短沟道MOSFET直流稳态特性的数值模型。使用专用模拟程序 LADES1-A (Lisban Advance Device Simulation Version no.1-A)联解器件内...
[期刊论文] 作者：,
来源：中国电力企业管理 年份：2013
参与创造人:吴畅燊曾伟强高东慧黄志强许奕灏吴忠明黄敞曾永坚王维权该成果获得2012年全国电力行业企业管理创新成果三等奖成果简介该成果是广东电网肇庆四会供电局在深入调...
[期刊论文] 作者：林绪伦,黄敞,
来源：半导体学报 年份：1991
本文对于新型的负电子微分迁移率场效应管内部的电位、沿沟道方向的电场以及载流子浓度的稳态分布进行了二维数值模拟,结果表明通过适当选取器件尺寸、掺杂分布以及偏置电压,...
[期刊论文] 作者：颜志英,黄敞,
来源：微电子学与计算机 年份：2001
文章通过对SOIMOSFET进行大量的模拟、计算,提出了一个新的SOIMOSF盯模型,它计入了影响深亚微米器件工作的各种二级物理效应,该模型同时适用于数字电路和模拟电路的设计,模型...
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