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该文基于器件内部载流总量的分析方法、计算机模拟和实验结果，进行的薄层、亚微米ＳＯＩ／ＣＭＯＳ器件与ＩＣ的理论研究，尤其着重于瞬态性能的分析。薄层、亚微米ＳＯＩ／ＣＭＯＳ器件优良的性能，使得其可以实现新一代更高速度、更高性能和更高容量的低功耗微电子系统，也成为航天、军用微电子领域最重要的技术之一，被称为“下一代高速ＣＭＯＳ技术”。（本刊录）