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文章主要分析讨论薄层SOI(绝缘层上的硅)器件的击穿特性。采用两种载流子产生、复合作用的器件模型进行二维数值模拟的方法,揭示了薄硅层OSI MOSFET击穿电压降低是由于漏区附近电场强度增强引起的机理。
薄硅层SOI MOSFET击穿电压的二维数值分析
【摘 要】
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文章主要分析讨论薄层SOI(绝缘层上的硅)器件的击穿特性。采用两种载流子产生、复合作用的器件模型进行二维数值模拟的方法,揭示了薄硅层OSI MOSFET击穿电压降低是由于漏区附
【机 构】
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航空航天部骊山微电子学研究所,航空航天部骊山微电子学研究所陕西临潼710600,陕西临潼710600
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1992年6期
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