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根据载流子总量分析方法,建立了深亚微米CMOS集成数值模型,把电路的端特性与器件内部载流子的运动状态联系起来,解决了经验解析公式在亚微米时的局限,完成了对0.20μm LDD CMOS环振电路的瞬态分析,并与实际制做的0.5μmCMOS环振电路进行了比较,最后讨论了集成数值模型在建立亚微米库方面的应用。