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[期刊论文] 作者：何宇亮,余明斌,刘剑,徐士杰,
来源：仪器仪表学报 年份：1996
纳米硅薄膜中的微晶粒具有量子点功能何宇亮，余明斌，刘剑，徐士杰（北航非晶态物理与光信息研究室）（中科院北京半导体所超晶格与微结构国家实验室）使用超高真空ＰＥＣＶＤ薄膜沉积技术制备的纳米...
[期刊论文] 作者：余明斌,
来源：西安理工大学学报 年份：1998
用测量多孔反射谱的方法研究了多孔硅在吸收边附近的特性。结果表明（ａｈｗ）＾２和（ｈｗ－Ｅｇ）呈线性关系，表明多孔硅在一定程度上已转变为直接带隙半导体。...
[期刊论文] 作者：余明斌,
来源：西安理工大学学报 年份：1997
用退火的方法改变了纳米硅薄膜的微结构。用Ｒａｍａｎ散射和共振核反应方法分析了薄膜的微结构变化。结果表明，薄膜的氢含量是影响薄膜光学带隙的主要因素，而薄膜的晶态体积比和晶粒尺寸......
[期刊论文] 作者：余明斌, 王燕,,
来源：西安理工大学学报 年份：2004
用测量多孔硅反射谱的方法研究了多孔硅在吸收边附近的特性。由于多孔硅的微空洞和残余部分大约只有纳米量级，故采用波长为２００～２６００ｎｍ的红外到紫外范围的光照射，根据多层膜的反射公式，计算......
[期刊论文] 作者：余明斌,张林,
来源：科技·人才·市场 年份：1999
国家自然科学基金在加强基础研究和应用基础研究工作方面起着很重要的作用.在自然科学基金的资助下我国基础性研究稳步发展,获得了许多高水平的研究成果.同时,在发现、培...
[期刊论文] 作者：余明斌,王燕,
来源：西安理工大学学报 年份：1997
用纳米硅薄膜制成了共振隧穿量子点二极管，在７７Ｋ温度下对其Ｉ－Ｖ特性进行了测量，得到了具有共振隧穿特征的实验结果。对实验结果分析表明，纳米尺寸晶粒构成的量子点具有库仓阻塞效应．......
[期刊论文] 作者：林健,余明斌,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
给出了适用于分析复杂结构ＨＢＴ的电荷传输逢迟时间及截止频率的电荷分配模型（ＣＰ）。模拟了ｓｉ／ＳｉＧｅ ＨＢＴ的高特性。模拟结果显示Ｓｉ／ＳｉＧｅ ＨＢＴ的频率特性较ＳｉＢＪＴ大为改善，而基区及集电结ＳＣＲ区的电荷输运时间将成为提高......
[期刊论文] 作者：刘明,余明斌,
来源：电子学报 年份：1997
用ＰＥＣＶＤ法在Ｓｉ衬底上沉积了纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜，其室温暗电导可达１０＾３－１０＾－１Ω＾－１ｃｍ＾－１，高于本征单晶硅的电导，将其制成遂道二极管，其Ｉ－Ｖ曲线在７７Ｋ呈现出量子台阶，对这一新颖物理现象进行了定性解释。......
[期刊论文] 作者：罗家俊,余明斌,
来源：半导体杂志 年份：1998
本文探讨了硅掺入稀土元素Ｅｒ后能发出波长为１５４０ｎｍ的光的机理，对影响其发光特性的温度猝灭现象作了初步分析，最后指出了将其实用化还必须解决的一些问题。...
[期刊论文] 作者：余明斌,李雪梅,
来源：半导体学报 年份：1995
对用ＰＥＣＶＤ方法控制生长条件制备的纳米硅薄膜材料的发光性质进行了初步研究。在膜的纵向加直流偏压，暗场环境下可清楚地看到材料的电致发光现象。在同一套测量系统中分别测量了纳米......
[期刊论文] 作者：余明斌,马剑平,
来源：半导体学报 年份：2000
用热丝化学汽相淀积（ＨＦＣＶＤ）法在硅衬底上生长具有纳米晶粒结构的碳化硅薄膜，用Ｘ射线光电子谱仪（ＸＰＳ）、Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、傅里叶红外吸收光谱（ＦＴＩＲ）、紫外光Ｒａｍａｎ散射谱和高分辨透射电子显微镜（ＨＲＴＥＭ）对薄膜样品进行了......
[期刊论文] 作者：余明斌,杨安,等,
来源：半导体学报 年份：2002
用电子回旋共振化学气相沉积（ECRCVD）方法制备了纳米碳化硅薄膜。实验中发现：在高氢稀释反应气体和高微波功率条件下，可以得到结构上具有纳米碳化硅晶粒镶嵌在碳化硅无序网络中的......
[期刊论文] 作者：李永放,余明斌,
来源：陕西师大学报：自然科学版 年份：1998
由于多孔硅具有大表面积，所以常呈现出非常灵敏的表面特性。作者以多孔硅为载体，吸附各种染料分子，如２，２‘－菁染料发子及其聚集体，首次观察到吸附分子的荧光增强效应和能量转移过程，文......
[会议论文] 作者：余明斌,李永放,
来源：第八届全国发光学术会议 年份：1998
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[期刊论文] 作者：余明斌,罗晋生,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
This paper has analyzed the AlxGa1 xAs liquid-phase epitaxy layer by Automatic Rotating-Analyzer Spectroscopic Ellipsometer. The energy of the incident light ra...
[期刊论文] 作者：何宇亮,余明斌,
来源：物理学报 年份：1997
基于对实验和理论的分析，提出一种异质结量子点隧穿（ＨＱＤ）模型，并导出了纳米硅薄膜电导率完整的表达式．其主要思想是，纳米硅薄膜中的微晶粒（几个纳米大小）具有量子点特征，在微晶粒与界面之......
[期刊论文] 作者：马丽,高勇,刘静,余明斌,
来源：功能材料与器件学报 年份：2007
SiGe材料由于禁带带隙较窄和与Si工艺相兼容的优点,被广泛用于高频双极晶体管的制造中。实验把SiGe/Si异质结应用于功率器件方面,制造出了超快速软恢复SiGe/Si异质结功率开关...
[期刊论文] 作者：高勇,刘静,马丽,余明斌,,
来源：半导体学报 年份：2006
将SiGeC技术应用于功率半导体器件的特性改进,提出了一种新型p^＋（SiGeC）-n^--n^＋异质结功率二极管结构.在分析SiGeC合金材料物理特性的基础上,给出了该结构的关键物理参数模型,并...
[期刊论文] 作者：马丽,高勇,刘静,余明斌,,
来源：电子器件 年份：2007
为了进一步提高SiGe/Si异质结功率开关二极管的性能,提出了一种SiGe功率开关二极管的新结构,用交替的p＋、n＋区形成的mosaic结构来代替原常规的n＋区,关断时可同时为电子和空穴的...
[期刊论文] 作者：马丽,高勇,刘静,余明斌,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2007
SiGe材料由于禁带带隙较窄和与Si工艺相兼容的优点,被广泛用于高频双极晶体管的制造中。实验把SiGe/Si异质结应用于功率器件方面,制造出了超快速软恢复SiGe/Si异质结功率开关...
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