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用电子回旋共振化学气相沉积（ECRCVD）方法制备了纳米碳化硅薄膜。实验中发现：在高氢稀释反应气体和高微波功率条件下，可以得到结构上具有纳米碳化硅晶粒镶嵌在碳化硅无序网络中的薄膜。用高分辨透射电子显微镜、傅里叶红外吸收谱、Raman散射和X射线光电子谱等分析手段对薄膜的结构进行了分析。在室温条件下，薄膜能够发出强烈的短波长可见光，发光峰位于能量为2.64eV处。瞬态光谱研究表明样品的光致发光寿命为纳秒数量级，表现出直接跃迁复合的特征。这种材料有希望在面积平面显示器件中得到应用。