【摘 要】
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将SiGeC技术应用于功率半导体器件的特性改进,提出了一种新型p^＋（SiGeC）-n^--n^＋异质结功率二极管结构.在分析SiGeC合金材料物理特性的基础上,给出了该结构的关键物理参数模型,并
【机 构】
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西安理工大学电子工程系,西安理工大学应用物理系
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将SiGeC技术应用于功率半导体器件的特性改进,提出了一种新型p^＋（SiGeC）-n^--n^＋异质结功率二极管结构.在分析SiGeC合金材料物理特性的基础上,给出了该结构的关键物理参数模型,并在此基础上利用MEDICI模拟,对比分析了C的引入对器件各种电特性的影响.此外,还模拟比较了不同p^＋区厚度对器件反向漏电流的影响.结果表明：在SiGe/Si功率二极管中加入少量的C,在基本不影响器件正向I-V特性和反向恢复特性的前提下,大大减少了器件的反向漏电流,并且C的加入还减小了器件特性对材料临界厚度的依赖
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