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[期刊论文] 作者：李海霞,毛凌锋,,
来源：半导体技术 年份：2009
随着器件尺寸的进一步减小,由量子效应导致的能带分裂对MOSFET中阈值电压特性的影响变得越来越重要。提出了一个包含量子效应(QME)的短沟道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)分...
[期刊论文] 作者：陆麟,毛凌锋,,
来源：半导体技术 年份：2010
目前，在半导体闪存多芯片的金线键合工艺中，为满足堆叠芯片不断增加等结构需要，键合线弧要求更低、更长，制造工艺变得相对更加复杂。针对生产过程中常遇到的“塌线”问题，通过对金......
[期刊论文] 作者：杨尧,毛凌锋,
来源：半导体学报 年份：2002
给出一种利用FN隧穿电流振荡来估计金属-氧化物-半导体场效应管的界面宽度的方法，数值计算的结果表明该方法可以精确而且方便地估计界面宽度，用这种方法估计得到的界面宽度在0.......
[期刊论文] 作者：李海霞,毛凌锋,,
来源：半导体技术 年份：2008
随着器件尺寸的进一步减小，Si能带的非抛物线性以及高电场对MOSFET中沟道电子输运的影响变得越来越重要。在基于全能带蒙特卡罗方法的基础上，研究了非抛物线因子对沟道电子输运......
[期刊论文] 作者：毛凌锋,王子欧,
来源：量子电子学报 年份：2005
设计了一种二维光子晶体的极化分离器,时域有限差分模拟和频率等高线图均用来显示这种器件是如何在给定的频率下工作的,其工作原理来源于二维光子晶体对TE和TM模式有着不同的...
[会议论文] 作者：毛凌锋,蔡彬,
来源：第五届全国固体内耗与超声衰减学术会议 年份：1997
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[期刊论文] 作者：毛凌锋,王子欧,,
来源：量子电子学报 年份：2005
设计了一种二维光子晶体的极化分离器,时域有限差分模拟和频率等高线图均用来显示这种器件是如何在给 定的频率下工作的,其工作原理来源于二维光子晶体对TE和TM模式有着不同...
[期刊论文] 作者：张天刚,毛凌锋,,
来源：电子与封装 年份：2009
随着电子封装微型化、多功能化的发展，三维封装已成为封装技术的主要发展方向，叠层CSP封装具有封装密度高、互连性能好等特性，是实现三维封装的重要技术。针对超薄芯片传统叠层C......
[期刊论文] 作者：毛凌锋,谭长华,
来源：半导体学报 年份：2000
给出了一种利用ＦＮ振荡电流的极值测量超薄栅ＭＯＳ结构的栅氧化层厚度和电子在栅氧化层民带中的有效质量方法。利用波的干涉垭处理电子隧穿势垒的过程，方便地获得了出现极值时外加电压......
[期刊论文] 作者：王新强,毛凌锋,
来源：原子与分子物理学报 年份：1998
介绍了磁场下二维量子点自旋极化态能级的自洽场计算中的Ｇａｕｓｉａｎ函数展开方法，给出了用这一方法对三电子量子点基态能量的计算结果，并与不考虑Ｌａｎｄａｕ能级混合的数值对角化方法的计算结果进行......
[期刊论文] 作者：霍宗亮,毛凌锋,等,
来源：半导体学报 年份：2003
基于界面陷阱的定义，通过分别对亚阈值摆幅漂移和亚阈区栅电压漂移采用弛豫谱技术有效地提取了1.9nmMOS结构中的界面陷阱密度和它的能量分布，发现这两种方法提取的界面陷阱密度......
[期刊论文] 作者：霍宗亮,毛凌锋,等,
来源：半导体学报 年份：2003
基于一阶速率方程，讨论了恒定电压应力下应力电流的饱和行为，通过对应力电流的拟合，发现存在三类缺陷产生的前身，更进一步的实验显示，在缺陷产生时间常数、击穿时间以及应力电压之......
[期刊论文] 作者：张贺秋,毛凌锋,等,
来源：半导体学报 年份：2002
用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管（MOSFET）隧穿电流的影响。中性陷阱引起势垒的变化在二氧化硅的导带中形成一个方形的势阱。对于不同的势垒变化，计算了电子隧......
[期刊论文] 作者：卫建林,毛凌锋,等,
来源：半导体学报 年份：2001
随着器件尺寸的迅速减小，直接隧穿电流将代替FN电流而成为影响器件可靠性的主要因素。根据比例差值算符理论和弛豫谱技术，针对直接隧穿应力下超薄栅MOS结构提出了一种新的驰豫......
[期刊论文] 作者：毛凌锋,卫建林,等,
来源：半导体学报 年份：2001
随着器件尺寸的不断减小，直接隧穿电流将代替FN电流而成为影响器件可靠性的主要因素，数值求解的结果表明，镜像势引起的势垒降低对超薄栅MOS直接隧穿电流有较大的影响，利用WKB近似......
[期刊论文] 作者：毛凌锋,谭长华,等,
来源：半导体学报 年份：2001
研究了粗糙界面对电子隧穿超薄栅金属－氧化物－半导体场效应晶体管的氧化层,笃于栅厚为3nm的超薄栅MOS结构的界面用高斯粗糙面进行模拟来获取界面粗糙度对直接随穿电流的影响，数......
[期刊论文] 作者：李海霞,毛凌锋,查根龙,,
来源：微电子学 年份：2011
描述了影响硅器件性能的二氧化硅中的缺陷,介绍了氧空位的概念,分析计算了随机氧空位对栅漏电流的影响。模拟结果表明:当氧空位在栅氧化层中随机变化时,引起的栅漏电流的变化...
[期刊论文] 作者：毛凌锋,谭长华,许铭真,
来源：半导体学报 年份：2001
通过数值求解整个势垒的薛定谔方程，发现FN电流公式中的B因子强烈依赖势垒的转变区的宽度，而C因子则弱依赖于势垒的转烃区的宽度，给出了一种利用WKB近似所得的处理电子隧穿存在......
[期刊论文] 作者：毛凌锋,谭长华,许铭真,
来源：半导体学报 年份：2001
给出了一种利用FN振荡电流的极值，测量电子在薄栅MOS结构的氧化层中的平增有效质量方法，利用波的干涉方法来处理电了隧穿势垒的过程，方便地获得了出现极值时外加电压和电子的有......
[期刊论文] 作者：张立军,吴晨,王子欧,毛凌锋,,
来源：高技术通讯 年份：2014
给出了一种设计低功耗静态随机存储器（SRAM）的技术,实现了在电路级与架构级层次上同时降低漏电流与动态功耗.该技术采用源极偏压结构控制漏电流,将一个钳位二极管与NMOS管并联...
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