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随着器件尺寸的不断减小，直接隧穿电流将代替FN电流而成为影响器件可靠性的主要因素，数值求解的结果表明，镜像势引起的势垒降低对超薄栅MOS直接隧穿电流有较大的影响，利用WKB近似方法，获得了镜像势对直接随穿电流影响的定性表达达式，镜像势对直接隧穿电流的影响随着栅电压的减小而增大，但是随着栅氧化层厚度的减小而减小。