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用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管（MOSFET）隧穿电流的影响。中性陷阱引起势垒的变化在二氧化硅的导带中形成一个方形的势阱。对于不同的势垒变化，计算了电子隧穿氧化层厚度为4nm的超薄金属氧化物半导体结构的电流。结果表明，中性陷阱对隧穿电流的是影响不能被忽略，中性陷阱的存在使隧穿电流增加，并且通过这个简单的模型能够理解应变诱导漏电流的产生机制。