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给出了一种利用ＦＮ振荡电流的极值测量超薄栅ＭＯＳ结构的栅氧化层厚度和电子在栅氧化层民带中的有效质量方法。利用波的干涉垭处理电子隧穿势垒的过程，方便地获得了出现极值时外加电压和栅氧化层厚度、势垒高度、电子的有效质量之间的。这种方法的最大优点是精确和简便，并可方便地应用于任意形状的势垒和势阱。
利用FN振荡电流测量超薄栅MOS结构的栅氧化层厚度
【摘 要】
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给出了一种利用ＦＮ振荡电流的极值测量超薄栅ＭＯＳ结构的栅氧化层厚度和电子在栅氧化层民带中的有效质量方法。利用波的干涉垭处理电子隧穿势垒的过程，方便地获得了出现极值时外加电压
【机 构】
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北京大学微电子所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2000年10期
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