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以Ｓｉ２Ｈ６和ＧｅＨ４作为源气体，用ＵＨＶ／ＣＶＤ方法在Ｓｉ（１００）衬底上生长了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金材料和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多量子阱结构。用原子力显微镜、Ｘ光双晶衍射和艇电子显微镜对样品的表面形貌、晶格质量、界面质量等进行了研究。结果表明样品的表面平整光滑，平均粗糙度为１．２ｎｍ；整个外延片各处的晶体质量都比较好，各处生长速率平均偏差为３．３１％，合金组分ｘ值的平均偏差为２．０１％；Ｓｉ１－