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讨论了外延及注入制作的薄层GaAs Hall器件如何获得高的磁线性度。GaAs Hall器件的磁线性度在高磁场下会有偏离，但可以通过外延及注入的过渡层对有源区进行补偿，在合适的有源区和过渡区的浓度和厚度分布中，可以得到2．5T的强磁场下，±0．04％的高磁线性度。
高线性度外延及注入GaAs Hall器件
【摘 要】
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讨论了外延及注入制作的薄层GaAs Hall器件如何获得高的磁线性度。GaAs Hall器件的磁线性度在高磁场下会有偏离，但可以通过外延及注入的过渡层对有源区进行补偿，在合适的有源区
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2002年5期
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