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以Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料制作双异质结构和多量子阱(乃至光子晶体)平面光波光路器件已经成为世界研究热点,在研发过程中其芯片测......
在理论分析设计的基础上，进行了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ定向耦合器型波调制器试验，建立了器件行波电极微波特性的测试系统，由此系统进行实验确定器件最佳结构......
现已实验演示了长波红外HgCdTe和GaAs量子阱128×128元凝视列阵成象仪。本文中,我们对探测器列阵性能特点进行对比,讨论这两种技术......
从理论上重点分析和研究了器件行波电极的微波特性，在半绝缘ＧａＡｓ衬底上设计了具有ｎ＋重掺杂外延层和共平面电极的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ定向耦合器型行波调制器。......
在理论分析设计的基础上，进行了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ定向耦合器型行波调制器实验。建立了器件行波电极微波特性的测试系统，由此系统进行实验确定器件最佳......
在国家科委以及863计划新材料领域专家委员会大力支持下,经国务院引进国外智力领导小组批准,中科院半导体研究所材料科学实验室与......
本文采用离散谱折射率法对深蚀刻、Ga As/ Ga Al As多层脊形光波导模式特性进行了具体分析和设计 ,获得了较大截面、低损耗的单模......
