C70／GaAs异质结的电学性质

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zlqf757299

【摘要】

：

在高真空系统中，将C70膜淀积在n－和p-GaAs(100）衬底上，制成C70／n-GaAs和C70／p-GaAs两种接触，并对它们的电学性质作了研究，结果发现两种接触均为强整流结，在偏压为±1V时，C70／n-GaAs

【作者】

：

陈开茅周锡煌等

【机构】

：

北京大学物理系,北京大学化学系

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2001年8期

【关键词】

：

光电性质砷化镓碳异质结构 solid C70 GaAs interface states recti fying property

【基金项目】

：

国家自然科学基金资助项目

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

在高真空系统中，将C70膜淀积在n－和p-GaAs(100）衬底上，制成C70／n-GaAs和C70／p-GaAs两种接触，并对它们的电学性质作了研究，结果发现两种接触均为强整流结，在偏压为±1V时，C70／n-GaAs和C70／p-CaAs和C70／－p-GaAs接触的整流化分别大于10^6和10^4，并且它们的理想因子都接近于1，当正向偏压固定时，它们的电流均是温度倒数的指数函数，从中确定两种异质结的有效势垒高度分别为0．784和0．531eV，用深能级瞬态谱（DLTS）在C70／GaAs界

其他文献

浅析概念教学的创新

概念教学是初中数学教学的一个重要方面,但长期以来,概念教学因其概念自身所特有的高度抽象性和理论性,使不少的学生感到艰深难懂。再加上从初一到初三各个数学概念间有着自

期刊

概念联想创新

基于实验与物理分析的RH—SiC射频功率MESFET大信号非线性精确电容模型

采用电荷控制理论和载流子速度饱和理论的物理分析方法，并结合Statz、Angelov等经验模型的描述方法，提出了常温下针对4H-SiC射频功率MESFET的大信号非线性电容模型。此模型在低

期刊

4H-SIC射频功率MESFET非线性大信号模型电容模型4HSiCRF power MESFETnonlinear largesignal mod

半绝缘非掺GaAs材料制备的MESFETs背栅效应

设计了一套适用于二种工艺的背栅效应测试版图，用选择离子注入形成有源层和欧姆接触区，在非掺半绝缘ＧａＡｓ衬底上制备ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴｓ器件。研究了这二种不同工艺制备的ＭＥＳＦＥＴｓ器件的背栅效应以及不同距离

期刊

MESFET背栅效应砷化镓半绝缘MESFET Bach|Gating Effect GaAs

新媒体背景下新闻史课程“混合式”教学探析

随着传播技术的发展，媒介形态和传播过程发生了一系列变化，传统新闻史教学也日益面临越来越大的挑战。因此，在新媒体背景下，新闻史课程需要进行系列的混合式教学改革。

期刊

新媒体新闻史混合式教学

Si（111）—（√3×√3）R30°—Ga表面原子结构

利用自动张量低能电子衍射（ATLEED）定量地研究Si(111)-(√3×√3）R30°-Ga重构表面的原子结构。证实了Ga原子吸附在T4位即第二层Si原子所对的空位上，同时给出了表面最顶

期刊

表面原子结构硅电子衍射重构半导体Sisurfaceatomicstructure

大带宽半导体光学放大器的理论分析

提出一种新型的半导体光学放大器结构，并从增益谱和能带结构等角度分析其特征，得出其大带宽内偏振不灵敏的原因和规律，通过剖析该结构中有源区各部分的作用，得出大的张应变的引入

期刊

半导体光学放大器渐变应变偏振不灵敏3DB带宽SOA增益谱semiconductor optical amplifiergraded straine

手机用砷化镓双刀双掷单片射频开关成品率分析

采用GaAs 75mm0.7μm离子注入场效应晶体管（MESFET）标准工艺技术研制出手机用GaAs双刀双掷（DPDT）单片射频开关（以下简称单片开关。成品率分析表明，影响单片开关直流及射频参数成品

期刊

手机双刀双掷单片射频开关成品率分析砷化镓Ga AsmonolithicRF switchyield analysi

高线性度外延及注入GaAs Hall器件

讨论了外延及注入制作的薄层GaAs Hall器件如何获得高的磁线性度。GaAs Hall器件的磁线性度在高磁场下会有偏离，但可以通过外延及注入的过渡层对有源区进行补偿，在合适的有源区

期刊

Hall器件霍尔器件砷化镓线性度Hall devices active region and transition region dist ribut

“互联网+”融入小学音乐课堂,教学焕发新气象

在互联网、信息化技术以及文化多元化快速发展的今天,“互联网+”早已对我们周围的各行各业产生了深远的影响,同时,社会各界也给予了小学生音乐艺术培养足够的关注。“互联网

期刊

“互联网+”小学音乐课堂教法创新核心素养

不同Mg掺杂浓度的GaN材料的光致发光

研究了用低压金属有机物化学沉积方法生长得到的具有不同Mg掺杂深度的GaN样品薄膜，经不同温度退火处理后的发光特性。实验发现随着火退火温度的升高，不同掺杂浓度的Mg：GaN材料的

期刊

P型掺杂光致发光退火补偿势能波动氮化镓镁掺杂浓度pdopedGaNPLannealcompensationpotentialfluctu

C70／GaAs异质结的电学性质

与本文相关的学术论文