【摘 要】
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在＜１００＞取向的金刚石衬底上，用微波ＰＣＶＤ法进行同质外延、掺杂和Ｓｃｈｏｔｔｋｙ特性的实验研究，总结了反应气体、碳源浓度等因素对外延展形貌、结构的影响，Ｂ／Ｃ比对掺硼外延层结构、形貌和电学性能的影响，以及
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在＜１００＞取向的金刚石衬底上，用微波ＰＣＶＤ法进行同质外延、掺杂和Ｓｃｈｏｔｔｋｙ特性的实验研究，总结了反应气体、碳源浓度等因素对外延展形貌、结构的影响，Ｂ／Ｃ比对掺硼外延层结构、形貌和电学性能的影响，以及接触金属、温度对Ｓｃｈｏｔｔｋｙ特性的影响．
On the <100> -oriented diamond substrate, the homoepitaxial, doping and Schottky properties were investigated by microwave PCVD method. The effects of reaction gas and carbon source concentration on the morphology and structure were summarized. The B / C ratio on the structure, morphology and electrical properties of the boron-doped epitaxial layer, as well as the effect of contact metal and temperature on the Schottky properties.
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